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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B2G0846F-BYK0 DDR3适合众多计算环境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度0 °~ 85 C° 78FBGA封装
三星/SAMSUNG 内存芯片K4B2G0846F-BMMA DDR3适合众多计算环境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度-90 °~ 95 C° 78FBGA封装
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三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BYMA DDR3适合众多计算环境 容量1Gb 速率1866Mbps 工作电压1.35V 温度0 °~ 85 C° 78FBGA封装
三星/SAMSUNG 内存芯片K4B1G1646I-BYK0 DDR3 适合众多计算环境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作电压1.35V 温度0° ~ 85 C° 96FBGA封装
