据路透社10月21日援引四位知情人士消息，韩国两大半导体巨头三星电子与SK海力士正在升级其在华工厂，以生产更先进的存储芯片。此举意在抵御快速成长的中国竞争对手，同时满足人工智能（AI）产业爆发带来的巨大存储需求。
自2022年美国对部分芯片制造设备实施出口管制以来，韩国芯片企业在中国业务的投资规模一直是一个棘手问题。目前，三星和SK海力士若想在中国工厂安装刻蚀机等美国制造设备，每年都必须申请美国许可。美国商务部工业与安全局更在2025年明确表示，不打算向外国芯片制造商在华工厂的技术升级和产能扩张发放许可证。
监管层面的重重限制削弱了两家公司改造工厂的能力，也让本土厂商长江存储（YMTC）乘势蚕食市场份额。两家韩企高管已多次公开警告，地缘政治紧张正在损害其中国业务。
不过，三星在发给路透社的声明中证实，升级改造正在进行中，且是在与美国政府密切磋商下开展的。SK海力士也表示，公司一直在与美国政府协商后，在其位于中国东北大连的工厂安装设备。但截至目前，外界无法确认美国当局究竟在多大程度上发放了升级所需的设备出口许可证。
据知情人士透露，三星位于西安的工厂约占其全球NAND产量的40%，目前生产约200层芯片。作为内部代号“Monami”项目的一部分，三星正将该工厂改造以生产286层V9 NAND芯片，目标是今年12月实现月产5000片晶圆，到2027年12月提升至4万片晶圆。
三星强调，此次升级符合美国出口法规，“旨在满足全球客户（包括美国客户）日益增长的需求，公司并未扩大产能或新建制造设施”。
SK海力士方面，三位知情人士称其正寻求将大连工厂转产240层及以上NAND产品。该工厂目前生产192层产品，是SK海力士2021年收购英特尔NAND业务（现名Solidigm）时获得的资产，至今仍是该业务唯一的NAND芯片制造基地，Solidigm目前正在筹备赴美上市。
一位知情人士透露，SK海力士已获准在大连生产最高240层芯片，并可能寻求美方许可在当地开展300层以上芯片的研发——这将为其在美国的潜在生产奠定基础。据悉，该公司正与特朗普政府就赴美新建NAND工厂的计划进行磋商。
美国商务部工业与安全局未直接回应相关审批状态的提问，仅重申其2025年声明：将为这些企业运营在华现有工厂发放许可证申请，但不批准产能扩张或技术升级。
在韩企纠结于对华投资规模之际，长江存储发展势头迅猛。研究机构Omdia数据显示，长江存储今年第二季度已占据中国NAND市场38.5%的份额，高于2025年全年的28%，并超越三星。同期三星份额从36%下滑至33.5%，SK海力士则从20%降至17%。
据另外两位知情人士称，长江存储的产品线以160层和232层NAND芯片为主，但也生产少量294层芯片，并计划制造层数超过300层的产品。长江存储方面未回应置评请求。
NAND闪存是一种断电后仍可保存数据的存储芯片，广泛用于智能手机、个人电脑以及AI数据中心的固态硬盘。单颗芯片堆叠层数越高，存储密度越大，单位存储成本越低——这正是各大厂商竞相追逐高层数工艺的核心原因。
目前，三星在中国以外市场销售最高286层NAND芯片，并于今年8月发布了层数超过400层的NAND原型；SK海力士则销售最高321层的产品。
分析人士指出，三星与SK海力士选择在华升级产线、把工艺水平向韩国本土靠拢，折射出两难处境：一边是AI浪潮下中国这一全球最大存储消费市场的巨大商机，另一边是日益收紧的美国技术管制。而长江存储的快速崛起，正让这场技术与地缘的博弈变得更加微妙。未来几年，中国NAND市场的份额争夺战预计将进一步白热化。
来源：电子工程专辑
