日媒《日刊工业新闻》10月20日报道称，佳能计划把半导体制造后段制程用光刻设备的生产能力，到2029年提高到2026年的150%，也就是增加50%。扩产路径包括宇都宫事业所内新工厂的生产扩大、生产效率提升，以及继续开发大型基板对应产品。
日本财经媒体今年1月对佳能常务董事武石洋明的采访写到，佳能2025年在栃木县宇都宫市建设新工厂，并把半导体光刻设备生产能力提高到2024年的1.5倍；这与本次“2029年较2026年再增50%”应理解为分阶段爬坡，而不是同一基准下的重复表述。
前段制程继续微缩的边际收益下降后，芯片性能竞争正在转向“把多颗芯片更紧地装进同一封装”。台积电10月15日发布的三季度财报释放出了强烈的信号：当季营收新台币1.49424万亿元，以美元计467.2亿美元，同比增长41.2%、环比增长16.2%，高出指引上限；净利润新台币7630.6亿元，同比增长68.7%，连续第六个季度创纪录。
结构上，高性能计算平台环比增长22%、占营收68%，已是名副其实的绝对支柱。7纳米及以下制程占晶圆营收79%，其中2纳米从上季度的3%跃升至8%，3纳米占33%。公司把2026年美元营收增速展望从二季度的“略高于40%”上调到约44%，并维持600亿至640亿美元资本开支预算，董事长魏哲家在电话会上明确表示人工智能需求仍高于公司供应能力。
（台积电26Q3营收，按终端应用划分）
对佳能而言，先进封装已不只是台积电财报里的“约10%到20%资本开支”，而是决定营收增长曲线的瓶颈环节。财报电话会披露，台积电先进封装已实现5倍光罩尺寸量产、正向9倍和14倍推进，整体代工级系统级整合方案仍是人工智能芯片客户的首选。同时2纳米单季占比从3%跳到8%，意味着逻辑芯片、高带宽存储器与中介层的互连密度还在快速抬升。
封装内部要承载更多输入输出、更短互连和更复杂供电，再配线层与中介层随之变大，后段制程里的曝光、对准和翘曲控制就不再是收尾工序，而是良率与成本的闸门。佳能此时加码的并非普通光刻机扩产，而是对准大型封装基板的产能：对应510毫米×515毫米基板、0.8微米分辨率、兼顾高对准精度与大视场的设备，正好卡在先进封装由“能把芯片封进去”走向“能把大基板稳定、精密地做出来”的换挡点上。
相关产业媒体称，佳能2025年9月已让宇都宫新工厂运转，目标是2027年满产；做法不只是增加厂房和设备，还包括提高生产效率、扩大供应商外围配套，并缩短零部件采购前置期。这符合半导体设备行业的常识：光刻系统价值量高，光学、激光光源、精密平台和关键部件交期较长，真正限制交付的往往不是总装线，而是镜头、光源、精密运动平台和供应链节拍。
（佳能宇都宫光刻机制造工厂）
产品侧，佳能已经在把大型基板能力商品化。相关产业媒体报道提到，佳能开发了对应510毫米×515毫米基板、兼具高对准精度与大视场、分辨率达到0.8微米的设备。在此之前，佳能官方发布的封装用步进式光刻机可选配置已做到0.8微米分辨率，单次曝光视场52毫米×68毫米，并通过4次拼接实现100毫米×100毫米曝光。佳能还称其扭曲像差降至前代四分之一以下，同时保留对重构基板翘曲和大芯片阵列偏差的处理能力。
市场常把佳能光刻简单归为“不做极紫外光刻”，这并不准确。日本商业媒体2025年报道回顾，佳能曾与尼康在前段制程光刻有高份额，后在极紫外路线竞争中自2009年前后落后阿斯麦并退出该市场。但佳能把氟化氪与汞灯近紫外光刻集中到功率半导体、存储器和封装等线宽较宽、却更看重量产稳定与成本的场景，这套“退出最前沿、守住高适配市场”的策略如今反而兑现。
日本财经媒体采访中，武石洋明把关键转折概括为从“以产品为中心”转向“嵌入客户工艺的设计导入”：不再只追路线图规格，而是把客户在后段制程量产中的翘曲、对准、良率和成本痛点做进设备。
更长远的一张牌是纳米压印光刻。佳能官方称，公司在2023年10月13日推出新一代纳米压印光刻机，成为全球首家把纳米压印半导体制造设备商业化的厂商。该设备像盖章一样把掩膜图形压入晶圆抗蚀剂，最小线宽14纳米，官方称相当于当前多数先进逻辑所需5纳米节点，并强调更低功耗与成本。2024年9月26日，佳能又宣布向得克萨斯电子研究所交付该系统。
（佳能纳米压印光刻机）
另外，日本科技媒体对2026年5月决算会的整理显示，佳能预计全年氟化氪光刻机为69台、汞灯近紫外光刻机为169台，合计238台，同比多4台。纳米压印则被定位成2027年以后贡献销售，并在2030年5.6万亿日元销售、15%营业利润率的中期目标中扮演牵引角色。
来源：电子工程专辑
