美光预测:全球内存结构性短缺将延续至2028年

美光预测:全球内存结构性短缺将延续至2028年

  • 2026-09-21
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关键词: 美光 存储芯片 供需失衡 AI驱动

9月21日消息,在Six Five Summit 2026半导体论坛上,美光科技CEO高级顾问、前执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana对外表示,即便美光正在全球同步推进约20个扩产项目,真正具备实质增量的新增供应预计也要到2028年才会开启产能爬坡,目前整个存储行业仍然看不到明确的供需回归平衡点。

Sumit Sadana认为,当前全球内存市场正遭遇席卷全行业的结构性短缺,供需失衡的局面并非仅局限于AI服务器所用的高端HBM高带宽内存,而是已经全面蔓延至服务器、PC、消费电子、车载等所有市场板块。

这一轮存储行业的紧缺行情,与过往传统周期中单一品类阶段性缺货的特征完全不同。美光持续跟踪全球核心客户的需求预测数据显示,近两年来客户每年提交的存储采购指引始终处于持续上调的通道,几乎所有终端市场都在向上修正存储产品的采购规模,全行业对大容量、高带宽存储的渴求仍在不断抬升。

供给端的刚性瓶颈,是本轮内存紧缺难以在短期内快速缓解的核心原因。先进DRAM晶圆制造流程包含约2000道复杂工序,以HBM为代表的高端存储产品,还需要完成多层芯片垂直堆叠、散热优化等高难度特殊工艺,从晶圆投产到最终成品交付的全周期长达5个月,产能复制难度极大。

即便头部厂商集中投入资本开支推进扩产,晶圆厂建设、设备进场、产线调试、良率爬坡的漫长周期也无法跳过。以美光自身的产能布局为例,位于爱达荷州的ID1晶圆厂预计2027年年中才能产出首批晶圆,ID2工厂的投产节点要等到2028年末,位于纽约州的首座晶圆厂更是要到2030年才能正式投产,短期内大规模投资完全无法转化为实际市场供给。

需求端的全面爆发,进一步拉大了供需之间的缺口。AI产业的快速迭代,已经让内存的带宽与容量取代传统GPU算力,成为决定AI系统性能上限的核心瓶颈。除了数据中心侧的AI服务器带来的海量HBM需求之外,AIPC、智能手机、自动驾驶汽车等端侧AI应用的快速渗透,也在同步拉动普通DRAM与NAND闪存的需求持续上涨。

美光方面特别指出,人形机器人将是下一个拉动存储需求的核心爆发点,预计到2030年代,单台人形机器人就需要配备数百GB的DRAM和数TB的NAND闪存,进一步打开长期市场增长空间。

供需格局的长期失衡,也正在彻底重塑存储行业延续多年的商业模式。过去行业通用的按需采购一年期采购协议,正在逐步被多年期的“战略客户协议”取代,下游客户需要提前数年提交长期需求预测,才能锁定供应商的产能承诺。

头部客户更是开始将内存设计环节提前纳入自身未来5至7年的产品路线图,与存储厂商展开深度联合研发,合作模式逐步向定制化ASIC芯片开发靠拢,以此满足AI场景对极低功耗和超高运行速度的苛刻要求。

为了尽可能提升全球交付能力,美光正在加速推进全球化制造网络布局,位于印度古吉拉特邦萨南德的封测工厂已经成为其重要的海外产能支点。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra披露,这座总投资27.5亿美元、拥有超过50万平方英尺洁净室的基地,今年2月已经正式启动商业化生产,2026年可完成数千万颗存储芯片的封测工作,到2027年产能将进一步爬坡至数亿颗级别。

目前,该工厂的产出规模已经超过印度全国笔记本电脑市场的内存总需求量,承接来自美光全球晶圆基地的DRAM与NAND晶圆完成封装测试后,成品存储产品除了供应印度本土市场,还源源不断销往全球各地,成为美光缓解全球交付压力的重要支撑。

尽管美光已经计划将2027财年的资本支出大幅提升至450亿美元以上,但在供给端增量远落后于需求端增长的大背景下,全球存储行业已经告别过去快速起落的传统周期,正式进入由AI驱动的长期高景气阶段。


来源:电子工程专辑