9月15日，英伟达（NVIDIA）首席执行官黄仁勋在All-In峰会上接受采访时表示，中国到2030年就能做出自己的先进光刻系统。他还补充道，一旦技术成熟，中国有很强的大规模生产能力，国产设备进入本土晶圆厂只是时间问题。

黄仁勋在访谈中的原话是："他们会在2030年前做到。2030年就在眼前。理解中国，关键在于它非常擅长大批量生产。这只是时间问题……所以两三年只是一瞬间，算不上什么。在他们看来，已经到了。"

这一判断延续了黄仁勋对中国技术发展的一贯乐观态度。他此前多次公开评价中国人工智能产业"紧跟"美国前沿实验室，认为考虑到中国在AI上投入的资本规模，这一追赶速度并不令人意外。

蔡司半导体负责人：国产EUV光刻机或需约15年

与黄仁勋的乐观形成对比的是，蔡司半导体负责人Frank Rohmund近期在回应类似问题时表示，中国要做出国产EUV光刻机，可能还需要约15年。

值得注意的是，两位业界人士所指的并非完全同一概念。黄仁勋说的是"先进光刻系统"（advanced lithography systems），而Rohmund明确指向的是EUV（极紫外光刻）光刻机。EUV光刻机固然属于先进光刻系统，但DUV（深紫外光刻）设备同样属于先进光刻机范畴，且在2030年仍不会落伍，其重要性和市场需求并不会因为EUV的量产而降低。两种技术面向的是不同的工艺节点和应用场景，属于相对独立的技术生态。

ASML垄断EUV，欧美限制依赖限制ASML供应

当前，荷兰ASML是全球唯一能够量产EUV光刻机的公司，在先进光刻设备领域处于绝对垄断地位。欧美对中国芯片产业的限制，很大程度上也正是通过限制ASML向中国出口最先进的光刻设备来实现的。

光刻机被誉为半导体制造业"皇冠上的明珠"，其技术复杂度极高，涉及光学、精密机械、材料、控制等多个学科的顶尖技术整合。中国在这一领域长期受制于人，自主化进程备受关注。

黄仁勋的判断意味着，他认为中国有望在四年左右的时间内，在光刻系统这一核心环节取得关键突破。如果这一预测成真，将对中国半导体产业链的自主可控产生深远影响。不过，从EUV光刻机所需的超高精度光学系统、光源技术以及整个供应链生态来看，15年的判断也并非没有依据。最终时间线如何，仍需等待工程实践的验证。

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