三星电子正在调整定制HBM（cHBM）时代的基底裸片供应策略。业内消息称，三星计划在定制HBM产品中同时采用三星晶圆代工和台积电工艺制造的基底裸片，由此前主要依赖内部供应转向“双轨”模式。

HBM由多层垂直堆叠的DRAM核心裸片和底部基底裸片组成，其中基底裸片主要负责连接存储器与系统芯片并实现高速数据传输。随着HBM产品迭代，基底裸片的重要性不断提升。从今年开始量产的HBM4起，三星和SK海力士已开始采用晶圆代工工艺制造基底裸片，以集成更多逻辑功能并提升性能和能效。

进入定制HBM阶段后，基底裸片还将进一步承担客户定制逻辑功能。英伟达此前发布的NVHBM就是其中代表，其核心思路是将部分内存控制器功能从AI加速器转移至HBM基底裸片，并计划从HBM4E开始导入。按照英伟达公布的信息，相较标准HBM4E，NVHBM可将内存带宽最高提升30%，同时最多降低15%的功耗。

报道称，针对NVHBM等定制HBM产品，三星计划根据客户需求，同时采用三星晶圆代工和台积电制造的基底裸片。也就是说，在三星HBM核心裸片不变的情况下，基底裸片可根据具体客户方案选择三星或台积电工艺，最终采用比例将取决于客户需求。

在采用台积电工艺的情况下，相关基底裸片设计及优化支持将主要由三星存储业务部门负责；三星System LSI部门则主要负责面向三星晶圆代工的相关产品设计。业内人士称，目前已经有客户基于“三星HBM核心裸片+台积电工艺基底裸片”的方案进行产品设计。

这一调整也意味着，三星在定制HBM市场不再单纯强调内部晶圆代工与存储业务的一体化模式，而是提高供应链灵活性，以适应全球客户在工艺平台和封装生态方面的不同需求。