国际电子商情讯，三星计划将60%-70%的存储产能纳入长期供货协议（LTA），根据《首尔经济日报》近日报道，部分协议期限可延续至2031年，其主要签约客户包括英伟达、微软、谷歌等大型科技公司，但三星尚未公开确认具体客户名单。

这意味着，未来数年三星相当比例的存储产能已通过长期协议提前锁定，现货市场可调配资源可能趋于紧张。

HBM一货难求，新增订单仍难满足

尽管长约已签，HBM的抢货激烈程度仍超出预期，三星表示当前客户追加需求旺盛，现有产能难以满足全部新增需求。供不应求直接推动HBM现货价格进一步飙升，存储市场的结构性短缺正从合约端向现货端蔓延。

这一现象折射出AI算力扩张的速度远快于存储产能爬坡节奏：HBM作为AI加速卡的“标配内存”，其扩产受限于DRAM整体产能、先进封装（CoWoS/SoIC）瓶颈与良率爬坡，短期内难以补齐缺口。

HBM5 2028年量产、zHBM剑指8倍性能

几乎在同一时间，三星公布了下一代存储技术路线图：HBM5性能将达到HBM4E的2倍，基础芯片（base die）制程由现行节点升至2纳米，预计2028年量产；zHBM目标性能提升最高可达现有HBM系统数倍，部分公开资料以HBM4E为基准测算约8倍，但具体衡量口径仍待进一步明确。

制程向2nm基础芯片的跃迁，意味着三星正将先进逻辑制程引入存储基础层，以提升带宽密度与能效，为下一代AI训练/推理算力铺路。这一路线图也预示着存储技术迭代将进入“代际加速”阶段，与逻辑芯片的制程竞赛形成呼应。

传统DRAM被挤压、终端成本承压

三星锁约与HBM路线图的影响正沿产业链层层传导。其一，HBM挤占传统DRAM产能，导致通用DRAM供应趋紧、合约价上行；其二，存储价格上涨正在增加智能手机与服务器厂商的硬件成本压力，部分终端厂商面临提价压力；其三，长约与现货的价差扩大，使具备长约锁定能力的头部客户获得成本优势，而中小客户与消费端承受更大价格波动。中国本土存储厂商有望受益于全球供应链多元化趋势，但在HBM领域目前仍与三星、SK海力士存在明显技术差距。

综合来看，三星锁定七成产能至2031、HBM5/zHBM路线图落地，以及HBM供不应求导致的现货紧缺，共同指向一个结论：由AI驱动的存储超级周期远未见顶。后续需重点关注两条主线：

• 一是HBM产能与先进封装（CoWoS/SoIC）的协同爬坡节奏，部分行业机构预计供需紧张可能持续至2027-2028年，但具体拐点取决于HBM扩产和AI需求变化；

• 二是存储合约价涨幅是否随消费端需求下修而收窄——若AI/HBM需求持续强劲，结构性涨价仍将延续。

对投资者与产业链企业而言，长约锁定能力、先进封装布局与国产替代进度，将成为未来两年的核心观测变量。