8月30日，拓荆科技股份有限公司董事长吕光泉、无锡尚积半导体科技股份有限公司董事长王世宽一行来访无锡高新区。无锡高新区党工委书记、区委书记崔荣国与吕光泉、王世宽一行会谈交流，并共同出席尚积半导体薄膜和刻蚀设备研制基地项目签约活动。

此次签约项目计划总投资超10亿元，用地60亩，达产年预计形成年产薄膜沉积设备200台、刻蚀设备50台的产能。尚积半导体将全力加快项目建设，深度聚焦半导体制造前道关键工艺，围绕薄膜沉积与刻蚀两大核心设备领域，持续开展技术攻关与核心工艺突破，积极引聚链上企业，加快高端装备在先进制程中的国产化替代进程，与无锡高新区携手共建自主可控的半导体产业生态。

无锡尚积半导体科技股份有限公司成立于2021年，是一家专注于半导体薄膜沉积与刻蚀设备研发及制造的国家级高新技术企业。企业核心产品覆盖PVD、刻蚀、CVD等前道关键设备，关键核心部件及技术实现100%自主可控，其中PVD设备在MEMS及功率半导体市场的占有率稳居行业第一。

此次项目的落地，将有力推动半导体设备国产化替代进程，为无锡高新区半导体产业高质量发展注入强劲新动能。

此前在7月10日，拓荆科技（688072.SH）披露重组预案，公司拟通过发行股份及支付现金方式收购无锡尚积半导体科技股份有限公司控股权，并募集配套资金。根据公告，拓荆科技拟购买无锡尚积82.97%股份，并通过收购上海泰纳微100%股权和无锡宽行100%股权，最终直接及间接持有无锡尚积100%股份。