50 亿,纵慧芯光磷化铟光芯片基地落户常州

50 亿,纵慧芯光磷化铟光芯片基地落户常州

  • 2026-08-13
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关键词: 纵慧芯光 常州 磷化铟 光芯片

8月11日,纵慧芯光高端光通信芯片及器件研发制造基地签约落户常州。项目持续投入总计约50亿元,将重点建设磷化铟高端激光芯片研发及量产产线。

此次项目将聚焦磷化铟高端激光芯片研发及规模化量产,建设光芯片研发制造基地。公司表示,将持续加大研发投入,加速相关产品产业化落地。

图片来源:常州发布

在光芯片领域,纵慧芯光已实现砷化镓和磷化铟光芯片规模化量产。自2018年落户武进国家高新区以来,公司持续布局VCSEL芯片等化合物半导体领域。随着AI算力及高速光通信需求增长,此次项目落地将进一步扩大其磷化铟光芯片研发及量产能力。

据企查查APP显示,今年6月,纵慧芯光发生工商变更,新增蚂蚁科技集团股份有限公司全资子公司上海云玚企业管理咨询有限公司等为股东。

产能布局方面,纵慧芯光已建立常州生产制造中心、美国研发中心及中国台湾供应链管理中心。其中,常州工厂配备6英寸砷化镓晶圆生长所需的MOCVD外延技术,并具备后道封装、测试以及裸VCSEL芯片和相关模块的认证能力。

此外,2025年9月10日,总投资5.5亿元的FabX项目在武进国家高新区竣工投产。项目占地40亩、建筑面积2.8万平方米,达产后将实现砷化镓和磷化铟芯片规模化生产。

融资方面,2025年9月,纵慧芯光完成新一轮数亿元融资,由东阳光领投,老股东耀途资本、永鑫方舟跟投。其中,耀途资本自2018年首次投资以来已连续多轮追加投资。

更早些时候,纵慧芯光还获得哈勃、小米、比亚迪、大疆创新、国开制造业基金等二十余家机构支持。(集邦光通信整理)


来源:LED在线