据《首尔经济日报》8月11日报道，SK海力士旗下NAND闪存子公司Solidigm正式恢复对中国大连第二工厂的投资，这座停工长达四年的厂房即将在2027年上半年投入量产。

（《首尔经济日报》报道标题）

大连第二工厂的建设最早可追溯至2022年5月，当时SK海力士刚刚完成对英特尔NAND业务及大连第一工厂的收购，并随即成立了全资子公司Solidigm。按照最初规划，第二工厂将与第一工厂形成协同效应，进一步巩固SK海力士在全球NAND市场的地位。然而项目开工后不久便遭遇市场需求疲软等多重打击，最终陷入长达四年的停滞。

进入2026年，Solidigm在上半年重新注入资金，厂房主体建设已经完成。根据公司计划，生产设备最早将于2026年11月开始进场安装调试，并在2027年上半年建立完整的量产体系。新产线的月晶圆投入规模约为50000片，加上现有大连第一工厂每月约100000片的产能，大连基地总月产能将达到150000片，整体增幅约为50%。

值得注意的是，大连第一工厂源自SK海力士2021年收购的英特尔闪存业务，目前仍是Solidigm重要的成熟NAND生产基地。第二工厂将配置与第一工厂相同的设备，延续英特尔传统的浮栅架构技术路线。

AI引爆企业级存储需求

如果说四年前的停工源于需求萎缩，那么今天的重启则受益于人工智能带来的需求爆炸。这一浪潮直接推高了对企业级固态硬盘的需求，因为AI训练集群和推理服务器需要海量高速度、大容量的存储设备来支撑数据吞吐。

需求激增迅速反映在价格上。据TrendForce统计，2026年第一季度，全球前五大NAND供应商合计营收环比增长83.7%，总额超过389亿美元。其中SK海力士集团（含SK海力士与Solidigm）以约75.36亿美元的营收位居全球第二，环比增长44.6%，市场份额达到17.6%。Solidigm的高容量QLC企业级SSD订单持续涌入，成为集团增长的重要引擎。

供应端同样呈现紧张态势。由于存储厂商将大量产能转向利润率更高的高带宽内存（HBM）和服务器DRAM，传统NAND产能受到挤压。TrendForce数据显示，2026年第三季度NAND闪存合约价格预计仍将环比上涨10%至15%，尽管涨幅较第二季度的70%至75%明显放缓，但供应短缺的格局短期内难以扭转。

"双轨战略"浮现

重启大连第二工厂并非简单的产能扩张，而是SK海力士精心设计的"双轨"NAND战略的关键落子。

在这一战略框架下，大连基地将专注于成熟技术的通用型NAND生产，主要产品为基于英特尔浮栅架构的约100层NAND，面向企业级SSD市场。这一定位充分利用了大连工厂现有的技术积淀和设备基础，同时规避了先进设备出口管制带来的升级障碍。浮栅架构虽然在层数堆叠上不及电荷捕获架构，但在QLC等高密度存储场景下仍具成本优势，而Solidigm正是全球少数仍坚持浮栅路线的主要厂商之一。

（不同类型的NAND闪存）

与之形成鲜明对比的是，SK海力士将先进高堆叠NAND的生产重心放在韩国本土。清州M17工厂被定位为下一代NAND的核心基地，计划生产300层及以上的高端产品。SK海力士已宣布对清州M17投资19.1万亿韩元，首个洁净室预计于2028年底启用。此外，公司还在2026年8月的董事会会议上批准了总计约54.3万亿韩元的新投资，其中35.2万亿韩元用于龙仁Y2工厂建设DRAM产能，19.1万亿韩元用于清州M17的NAND产能扩张。

这种"中国守成熟、韩国攻先进"的分工，既让SK海力士能够抓住当前AI数据中心对企业级存储的旺盛需求，又确保了其在最先进制程上的技术领先性不受地缘政治因素干扰。