关键词： 纳微半导体 瑞萨电子 GaN 专利侵权 功率半导体
功率半导体厂商纳微半导体（Navitas）近日宣布，已在美国得克萨斯州东区联邦地区法院对瑞萨电子（Renesas）提起专利侵权诉讼，指控瑞萨旗下主要氮化镓（GaN）产品线，包括SuperGaN功率半导体，侵犯其多项美国GaN相关专利。
根据诉讼内容，瑞萨被指侵犯纳微4项美国GaN相关专利。纳微表示，公司长期投入GaN和高压碳化硅（SiC）技术研发，目前在全球拥有超过300项已获授权或正在申请中的专利。
值得注意的是，双方近期已多次发生法律纠纷。今年7月，瑞萨曾起诉纳微，指控其涉及挖角员工及窃取GaN商业机密。不到一个月后，纳微再以专利侵权为由起诉瑞萨，双方争议进一步从人才和商业机密延伸至知识产权领域。
纳微总裁兼首席执行官Chris Allexandre表示，公司长期投入GaN及高压SiC技术研发，并通过知识产权保护相关创新成果，希望竞争对手同样尊重合法知识产权。
此外，纳微近期也卷入其他功率半导体专利争议。今年7月初，Wolfspeed曾向美国联邦法院提起诉讼，指控纳微旗下GaN和SiC产品侵犯相关专利。
来源：爱集微
