近日，韩国半导体巨头SK海力士宣布，其董事会已批准一项总额达54.3万亿韩元（约合人民币2900亿元）的投资计划，用于在韩国龙仁和清州两地建设新的半导体制造工厂。

其中，龙仁半导体集群的第二个晶圆厂Y2将投资35.2万亿韩元，清州新晶圆厂M17将投资19.1万亿韩元。此举旨在应对人工智能（AI）浪潮驱动下，高带宽内存（HBM）、DRAM及NAND闪存需求的爆发式增长，进一步巩固其在全球AI半导体供应链中的核心地位。

龙仁Y2：HBM与下一代DRAM的战略高地

作为SK海力士在龙仁半导体产业集群规划建设的四座晶圆厂中的第二座，Y2工厂被寄予厚望。该厂总建筑面积达34.1万坪，将专注于生产高带宽内存（HBM）和下一代DRAM产品，这两类产品正是当前AI算力基础设施中最关键的存储组件。

根据规划，Y2工厂的建设计划于2027年7月正式启动，首个洁净室预计将于2029年6月投入使用，相关投资将分阶段持续至2031年10月。与此同时，该集群首座工厂Y1正在紧锣密鼓建设中，目标是在2027年2月开放首个洁净室。值得一提的是，SK海力士已将龙仁半导体产业集群的整体竣工时间大幅提前12年，从原定的2045年调整至2033年，显示出其抢占市场先机的迫切决心。

Y2项目的投资不仅涵盖主厂房建设，还包括一系列配套设施。SK海力士计划在园区内建造配套建筑，内设员工工作与福利设施，以及一座集产品测试、分析和开发功能于一体的综合研发中心。此外，水处理设施、公用设施隧道、变电站和仓库等基础设施也将同步推进。目前，位于韩国龙仁市处仁区元三面、占地约126万坪的龙仁半导体产业集群，其一期电力和水利基础设施建设已完成99%。SK海力士表示，将与基础设施建设同步推进晶圆厂建设，确保项目按计划进行。

清州M17：瞄准AI驱动的NAND与企业级SSD需求

与龙仁Y2聚焦HBM和DRAM不同，清州M17工厂将承担NAND闪存的生产任务。SK海力士表示，随着人工智能服务的日益普及，市场对NAND产品——尤其是企业级固态硬盘（SSD）的需求正在快速增长。此外，用于KV缓存（Key-Value Cache）的存储需求也在上升，该技术用于存储AI推理过程中先前生成的键值向量，以减少重复计算。公司预计，随着智能体人工智能（Agentic AI）和物理人工智能（Physical AI）的日益普及，NAND闪存的应用范围将进一步扩大。

SK海力士选择清州作为新NAND工厂的所在地，主要基于现有生产设施和基础设施的协同优势。清州园区目前运营着M11、M12和M15三座NAND闪存生产晶圆厂，新工厂M17将通过与现有生产线的整合，提升整体生产效率。该园区在土地、电力和水资源等方面拥有完善的基础设施，有助于加快建设速度、降低建设成本。

M17工厂洁净室总建筑面积为20.6万坪，工程计划于2027年2月开工，首个洁净室预计将于2028年12月投入使用，投资将持续到2031年4月，并将根据项目进度分阶段进行。

长期战略：700万亿投资构建AI基础设施护城河

此次54.3万亿韩元的投资，是SK海力士今年6月公布的长期投资战略的重要组成部分。该公司此前承诺，将向龙仁半导体集群总计投资600万亿韩元，并向清州生产基地追加投资100万亿韩元，以构建足以支撑未来十年AI产业发展的产能基础。

SK海力士特别强调，公司计划根据与客户的中长期需求讨论，提前确保生产基础设施，而实际产能扩张将根据客户需求灵活调整。这种“基础设施先行、产能动态匹配”的策略，既避免了过度投资带来的风险，又能在市场需求爆发时迅速响应。

SK海力士相关负责人表示："这项投资旨在确保我们不会错失市场持续增长带来的机遇。通过积极保障生产基础设施，我们力求成为人工智能基础设施的关键合作伙伴，为全球AI半导体供应链的稳定做出贡献。"

分析人士指出，在全球AI军备竞赛持续升温的背景下，HBM作为GPU的核心配套组件长期处于供不应求状态，而NAND闪存在企业级存储和边缘AI场景中的重要性也日益凸显。SK海力士此次双管齐下，同时在HBM/DRAM和NAND两大领域扩产，不仅是对市场需求的直接回应，更是对三星电子、美光等竞争对手的战略制衡。