关键词： 联发科 AI ASIC CoWoS EMIB-T 先进封装
芯片设计大厂联发科在7月31日举行的法说会（投资者说明会）上首次确认，在人工智能定制芯片（AI ASIC）项目中，除了继续采用台积电的CoWoS先进封装技术外，已同步导入英特尔的EMIB-T先进封装技术。
事实上，联发科在今年4月底的法说会上已透露，公司正同时投资两种不同的先进封装技术，但当时并未明确第二种方案的合作伙伴。
直至本次法说会，联发科首席执行官蔡力行才正式揭晓答案，并给出了更为清晰的定位：联发科作为数据中心客户的重要合作伙伴，正通过与台积电深度协同的设计优化，以及与主要先进封装伙伴的紧密配合，结合自身在2纳米等先进制程设计上的积累和强大的架构工程能力，帮助客户运用CoWoS与EMIB-T两种技术路径，开发各类超大芯片尺寸的高性能ASIC产品。
据联发科披露，其第一代数据中心ASIC将按计划在2026年第四季度进入量产阶段，预计可贡献超20亿美元营收。此外，据联发科CEO蔡力行在法说会上表示，2027年全球数据中心ASIC市场总规模预计可达700亿至800亿美元，联发科目标在该市场中获取15%至20%份额。
（联发科企业ASIC服务）
联发科同时押注台积电CoWoS与英特尔EMIB-T两条封装路线，背后有多重战略考量。
首先，封装已成为芯片整体解决方案的核心竞争维度之一，而不再仅仅依附于制程工艺。在AI基础设施需求井喷的背景下，客户对超大型AI芯片的设计需求日趋多元，单一封装技术已无法完全满足市场。
其次，供应链安全与风险分散是核心考量。过去，先进的AI芯片封装主要由CoWoS主导，但随着AI ASIC向超大芯片（达到光罩尺寸甚至超越光罩尺寸）发展，单封装技术路径不仅存在产能瓶颈，更带来供应链集中风险。联发科同时采用CoWoS和EMIB-T，体现了公司多元化的封装战略，旨在提升ASIC产品设计灵活性，减少对单一供应链的依赖。
第三，成本与交付周期的差异化匹配。不同客户在成本敏感度和性能需求上存在显著差异。EMIB-T被认为在特定场景下具备显著的成本优势，而CoWoS则在技术成熟度与生态完整性上领先。通过“双轨并行”，联发科可根据不同客户需求，在成本、性能和量产能力之间实现最佳平衡。
EMIB-T的全称为Embedded Multi-die Interconnect Bridge with Through-Silicon Vias（嵌入式多芯片互连桥（硅通孔版）），是英特尔EMIB 2.5D封装平台的最新升级版本。其核心机制是在有机基板内部嵌入小尺寸硅桥（Silicon Bridge）来连接多颗芯片裸片，从而替代传统大面积的硅中介层（Interposer），在维持高带宽、高密度互连并支持高带宽内存（HBM）集成的同时，显著降低封装制造成本。
（英特尔EMIB-T技术展示）
与既有EMIB架构相比，EMIB-T进一步加入了硅通孔（TSV）技术，大幅提升了电源与信号传输效率，赋予大型AI芯片与芯粒（Chiplet）架构更高的设计弹性。
英特尔公开路线图显示，EMIB-T于2026年可支持约8倍光罩尺寸，并计划到2028年扩展至超过12倍，容纳超过24颗HBM与38个EMIB-T桥接。
EMIB-T的核心优势在于其独特的架构设计所带来的综合效益。由于采用嵌入式硅桥替代了传统的大面积硅中介层，省去了昂贵的中介层材料，业界评估其封装成本可比CoWoS低约50%，具体降幅取决于设计方案对中介层的依赖程度。
与此同时，EMIB-T与IP和制程节点无关，客户能够将采用不同架构、由不同第三方晶圆厂或英特尔内部制程节点制造的芯片自由封装在一起，从而大幅简化供应链并提升设计灵活性。
在物理扩展性上，有机基板不受晶圆尺寸限制，可支持120×180毫米等更大封装面积，更适合集成多颗芯粒与HBM。
此外，EMIB-T通过TSV技术将供电路径电阻降低超过30%，对HBM4级内存的供电需求尤为关键。
相比之下，CoWoS的优势则体现在互连性能、生态成熟度与量产稳定性上。其大面积硅中介层可在整个封装范围内提供数千条短距离连接，特别适合需要广泛连通性的复杂拓扑。
（台积电CoWoS-S示意图）
在产业生态方面，CoWoS已被英伟达、AMD、谷歌、亚马逊等全球四大AI芯片设计巨头广泛采用，2025年消耗了超过90%的CoWoS封装产能，供应链配套与生态系统极为成熟。
而在量产稳定性上，台积电CoWoS已进入大规模量产阶段，英特尔EMIB-T则预计要到2027年才开始大规模量产，尽管目前良率已突破九成，但距离大规模商业交付仍需进一步验证。
联发科“双轨并行”的策略不仅关乎自身ASIC业务发展，更折射出全球先进封装产业格局的深刻变化。随着AI芯片向多芯粒架构演进，封装技术正从“制造附属”转变为“核心竞争维度”。英特尔凭借EMIB-T切入市场，有望打破台积电在高端AI封装领域的一家独大局面；而台积电则通过CoWoS-L、CoPoS（面板级封装）等技术持续巩固领先地位。
对联发科而言，同时掌握CoWoS与EMIB-T两条技术路径，意味着其能够在供应链紧张时灵活调配产能，在客户谈判中占据更有利地位，并为不同层级客户提供从高性能到高性价比的完整解决方案。未来，随着英特尔EMIB-T在2027年进入量产，以及台积电CoWoS产能的持续扩张，这场先进封装领域的“双雄对决”将直接影响全球AI基础设施的供应格局与成本结构。
来源：电子工程专辑
