关键词: 三星电子 三星财报 HBM存储 半导体业务 手机业务亏损
7月30日,三星电子发布2026年第二季度财报:合并营收171.5万亿韩元(约合人民币8050亿元),同比增长130%,环比增长28%;营业利润89.5万亿韩元(约合人民币4201亿元),同比暴增1813.8%,环比增长56%——两项数据均刷新三星电子单季历史最高纪录。
在这份“史上最强财报”的背后,隐藏着一个极具戏剧性的反差:半导体部门(DS)以127.5万亿韩元的营收,创造了89.2万亿韩元的营业利润,贡献了全公司99.7%的利润;而负责智能手机的移动体验(MX)与网络事业部,却录得0.7万亿韩元(约合人民币32.8亿元)的营业亏损——这是三星自2010年Galaxy S系列发布、正式开启智能手机业务以来,MX部门史上首次单季度亏损。
三星电子Q2的创纪录利润,几乎完全由AI存储芯片的量价齐升驱动。
从官方披露的数据看,DS部门Q2营收127.5万亿韩元,环比增长56%;营业利润89.2万亿韩元,环比增长66.1%。其中存储业务表现尤为突出——DRAM和NAND的bit出货量均创历史新高,推动该业务营收同比暴涨471%、环比大涨62%至120.8万亿韩元。
这一增长的核心驱动力主要来自三大方面。首先,全球AI基础设施投资的全面爆发。随着各大科技巨头在AI数据中心领域的竞争日趋白热化,服务器用DRAM与HBM(高带宽内存)等高附加值半导体的需求大幅攀升。在这一浪潮中,三星电子展现出强劲的技术领导力,不仅已开始大规模量产并出货第六代高带宽内存HBM4,更率先向主要客户送样下一代HBM4E工程样品,成为行业内首家达成这一里程碑的企业,进一步巩固了其在高端AI存储市场的霸主地位。
其次,存储芯片价格的全线暴涨为利润飙升提供了直接支撑。据集邦咨询数据,2026年第一季度DRAM合约价环比涨幅已超90%,NAND闪存涨幅也维持在55%至90%的高位。终端市场的成本传导尤为剧烈,比如12GB手机内存成本从200元飙升至600元,1TB闪存单价亦同步翻了三倍。单台AI服务器的存储消耗量是普通设备的8至10倍。面对这一结构性变化,三星、SK海力士、美光等头部厂商优先将产能倾斜至利润更丰厚的HBM和企业级存储,大幅压缩了手机、PC等消费级DRAM与NAND的供给,最终导致存储芯片价格暴涨约三倍。
此外,HBM的“排挤效应”正在重塑整个存储产业的供需逻辑。HBM的利润率是消费级存储产品的3至5倍,且英伟达、微软、谷歌等巨头已提前锁定长单至2027年。这种供不应求的局面吸引了厂商持续抽调消费级产能,形成了一个“AI越热、消费电子越贵”的强化循环。为了应对这一趋势并锁定未来收益,存储行业正从短期现货交易转向长期合约模式,三星电子已与博通等巨头签署长达五年的战略合作协议,预计未来60%至70%的芯片产能将被长期合同锁定。
正是三星自家半导体业务推动的存储涨价,反过来吞噬了三星手机业务的利润。
MX与网络事业部Q2录得0.7万亿韩元营业亏损。尽管Galaxy S26旗舰系列及A系列中端机型销售稳健,推动移动业务营收同比增长至33.2万亿韩元,但DRAM、NAND等核心零部件成本的大幅上涨全面侵蚀了利润空间。
这是三星移动体验(MX)部门历史上前所未有的局面,即使2016年在Galaxy Note 7电池起火事件引发全球召回的重大危机下。但这一次,存储器涨价推升的零部件采购成本(成本率),让这个历来被视为“利润奶牛”的事业部首次跌破盈亏线。
更深层的困境在于:在1000美元以上高端市场上,三星无法打破苹果iPhone混凝土般的占有率,守住收益性最高的主力机型区间愈发困难;与此同时,中国高性价比手机厂商的攻势愈发强劲,在新兴市场持续挤压三星的份额。
三星证券在7月份大幅修改了对MX(移动体验)与网络事业部的未来业绩预期:2026年预期从此前的“营业利润3.41万亿韩元”暴跌至“营业亏损5.841万亿韩元”;2027年亏损扩大,预测亏损规模进一步恶化至15.209万亿韩元,超过2023年半导体萧条期DS部门全年14.88万亿韩元的亏损规模。
除半导体与手机业务外,三星电子Q2其他业务板块表现呈现显著分化。其中,电视与家电(VD/DA)营收14.5万亿韩元,受全球需求低迷及原材料涨价拖累,时隔一季度再现千亿韩元级营业亏损;但电视业务受重大体育赛事拉动,营收与利润同比实现增长。
而三星显示(SDC)营收7.5万亿韩元,营业利润0.7万亿韩元。中小尺寸面板受益于高端移动OLED需求稳健,大尺寸面板则借游戏显示器市场扩张实现增长。
晶圆代工则受益于HBM基底晶圆需求及美国客户强劲订单,产能利用率显著提升,2nm HPC工艺已获多家重要客户设计中标。
来源:电子工程专辑