关键词： Counterpoint 智能手机内存 DRAM NAND BOM成本上涨
7月29日，市场研究机构Counterpoint Research发布最新行业分析报告，2026年第二季度智能手机内存价格环比涨幅突破80%。存储芯片的大幅涨价，直接重构了智能手机整机物料成本结构，全价位段机型生产成本普遍抬升，手机厂商盈利压力进一步加大。
报告中最引人注目的发现是：DRAM内存已正式超越主芯片SoC，成为旗舰智能手机中造价最高的单一元器件。
根据Counterpoint的数据追踪，2025年第一季度，DRAM+NAND在手机BOM（物料清单）中的合计占比仅为13%；而到2026年第三季度，这一比例预计将飙升至43%。在短短六个季度内，存储芯片在整机成本中的权重增长超过3倍。
具体来看，2026年第二季度，DRAM在旗舰机BOM中的占比已达24%，NAND占比25%，两者合计49%；而SoC（主芯片）的占比则从2025年Q1的31%下降至2026年Q2的22%，显示其已被存储芯片超越。
存储涨价的影响波及全价位段机型，且低端机型受冲击最为严重。
200美元以下低端机型：与2025年同期相比，BOM成本同比上涨70%，成本增量几乎全部来自存储芯片。手机厂商只能通过压缩入门机型订单、调整产品矩阵来规避单品亏损风险。
400至600美元中端机型：BOM成本同比上涨52%，存储已占到整机物料总价的四成，处理器、影像系统的越级配置逐步减少。
800美元以上旗舰机型：BOM成本同比涨幅接近50%。报告测算显示，1TB版本iPhone 18 Pro Max相比去年同容量iPhone 17 Pro Max，物料成本上涨近300美元。今年二季度多款旗舰新机首发零售价相比前代同步上调。
存储芯片价格暴涨的深层原因，是AI算力需求爆发对全球半导体供应链的挤压。三星、SK海力士、美光三大原厂将先进制程产能大幅倾斜至HBM（高带宽内存）等高利润服务器存储产品，导致面向智能手机的通用型DRAM供给被系统性挤压。
与此同时，AI手机对内存容量的需求也在快速增长。大模型端侧部署、多模态AI应用等功能，推动旗舰机标配内存从8GB向12GB、16GB甚至更高容量迁移，进一步放大了存储成本在整机中的占比。
面对成本压力，手机厂商正在采取多种策略应对。
Counterpoint高级分析师Shenghao Bai指出，智能手机OEM将针对不同存储容量实行差异化定价策略，以平衡成本压力与市场需求。部分OEM预计将通过导入更具成本优势的NAND解决方案，来控制大容量机型BOM成本并减缓终端零售价格涨幅。
然而，这些措施的效果有限。Shenghao Bai表示，中低端机型即便依靠产品调整减负，后续仍存在盈利下滑甚至单品亏损的隐患；旗舰机型成本走高也放缓了高端屏幕、影像新技术落地速度。
报告还预判，未来2nm制程旗舰主芯片量产落地后，会进一步拉高旗舰手机物料成本。即便品牌上调终端售价，短期旗舰机型整体毛利率依旧低于2025年同代产品。
这意味着，智能手机行业正面临"存储涨价+芯片升级"的双重成本挤压，厂商利润空间被持续压缩，终端售价上涨或将成为不可避免的趋势。
存储涨价的蝴蝶效应已在终端市场显现。此前，高通已宣布自9月1日起对全系列芯片产品实施两位数百分比的价格上调，联发科也已先行涨价10%至20%。叠加存储成本飙升，下半年旗舰手机起售价可能进一步上探。有业内人士预测，今年旗舰机起售价可能摸到6999元甚至更高。
来源：电子工程专辑
