英特尔代工部门（Intel Foundry）宣布完成“快速可靠微电子原型-商业”（RAMP-C）项目。该项目于2021年9月启动，旨在支持美国本土先进制程CMOS技术和制造能力的发展，为扩大可信本土半导体制造奠定基础。

美国战争部（DoW）负责微电子项目的项目经理Eric Makara表示：“战争部与英特尔在可信与可信微电子RAMP-C项目上的合作，已成功开发出关键的最先进本土半导体技术和设计赋能基础设施。它使商业公司和国防工业基地能够在本土设计和制造可信微电子产品，以提升我们的作战能力。”

自2021年10月启动以来，RAMP-C在三个阶段取得了可衡量的进展。基础建设阶段开发了先进制程技术、IP和设计工具，为商业和国防工业基地（DIB）客户准备测试芯片流片。扩展与导入阶段引入早期商业和DIB客户，并为英特尔18A设计扩展IP和生态系统解决方案。先进原型与制造阶段，英特尔支持了早期DIB产品原型的流片和测试，展示了安全规模化制造的准备能力，使客户能够利用Secure Enclave进行持续部署。

英特尔是美国唯一一家研究、开发和制造先进制程半导体技术的公司，通过RAMP-C合作，英特尔代工与美国战争部加速了技术开发，创建了从设计赋能到生产准备的可重复路径。英特尔代工向高产量18A制造迈进，可实现可扩展的可信制造，帮助以可信先进微电子来源重新平衡全球供应链。

在RAMP-C建立的能力基础上，Secure Enclave项目扩大了面向美国政府的先进制程半导体可信制造，实现安全的大规模生产。Secure Enclave还建立在“最先进异构集成封装”（SHIP）项目之上，反映与美国战争部持续合作加强本土半导体能力。

RAMP-C已从生态系统赋能进展到验证原型，使客户能够利用Secure Enclave进行安全的高产量制造。这些美国主导的项目创建了同盟政府和国际合作伙伴可采用的协作模式，以帮助确保供应链韧性。通过RAMP-C，英特尔代工使客户和生态系统合作伙伴能够利用英特尔18A工艺加速开发并从原型走向生产准备，该工艺引入RibbonFET和PowerVia技术以提升每瓦性能和密度。早期接触18A使DIB客户能够利用Secure Enclave，同时满足关键的尺寸、重量和功率要求。最终成果是能够在不损害安全性或供应链韧性的情况下，为关键任务系统开发和部署先进微电子产品。