AI数据中心建设持续升温，高速光互连需求不断攀升，硅光子（SiPh）产业近日再迎大型扩产项目。

Tower启动硅光、硅锗及先进光学封装扩产计划

7月14日，以色列晶圆代工厂Tower Semiconductor（高塔半导体）宣布，在日本政府支持下，公司将启动双轨战略扩产计划，全面提升12英寸（300mm）硅光子（SiPh）、硅锗（SiGe）及先进光学封装产能，项目总投资约30亿美元（约合人民币215亿元），其中日本政府将提供约10亿美元补助，Tower实际投资约20亿美元（约合人民币143亿元）。

根据规划，第一阶段将改造位于日本新潟县新井（Arai）的原Fab 6工厂，建设12英寸硅光子及先进封装产线，并进一步释放富山县鱼津（Uozu）Fab 7工厂12英寸产线产能，预计于2027年第四季度具备全面量产能力。基于第一阶段扩产带来的增长前景，Tower同步更新了业务发展目标，计划于2028年实现36亿美元营收和12亿美元净利润。

第二阶段将在完成相关协议后，于Fab 7毗邻区域新建一座12英寸晶圆厂。新工厂投产后，Tower的硅光子及硅锗制造能力将实现数倍提升，以满足AI、数据中心等新兴应用持续增长的需求，并支撑下一代高速光互连技术发展。公司预计，新工厂将于2029年开始贡献盈利，并进一步增强其在光通信领域的竞争力。

Tower表示，此次扩产不仅将提升公司先进制造能力，也将进一步完善日本本土硅光子及硅锗产业链，增强半导体供应链韧性。

AI光通信需求驱动Tower业绩成长

随着AI服务器向800G、1.6T乃至更高速率演进，硅光子已成为数据中心光互连的重要技术路线之一，Tower也持续受益于行业需求增长。

今年5月，Tower宣布与核心客户签署一份总价值高达13亿美元的硅光子长期供应协议。根据协议，公司已收到2.9亿美元预付款用于锁定关键产能，后续订单承诺将持续至2028年，相关新增预付款预计于2027年初到账。

Tower表示，这份长期协议覆盖从高速可插拔光模块到近封装光学（NPO）、共封装光学（CPO）等下一代光互连产品，将进一步巩固公司在AI基础设施供应链中的地位。

与此同时，Tower还完成了日本Fab 7工厂的股权重组，实现对该工厂的全面掌控，并持续推进400G调制器、光开关、3D混合键合等技术研发，为后续硅光业务扩张提供产能和技术支撑。

订单增长带动公司业绩持续改善。2026年第一季度，Tower实现营收4.14亿美元，同比增长15%；毛利润同比增长52%至1.11亿美元，营业利润同比增长96%至6500万美元，净利润同样达到6500万美元。据其表示，AI基础设施建设带动的硅光子业务已成为最主要的增长引擎之一。

此前，Tower预计第二季度营收将达到4.55亿美元（上下浮动5%），有望刷新公司单季度营收纪录，并预计全年收入和利润率将保持环比增长。根据最新披露，二季度财报将在2026年8月4日公布。

得益于新增产能和客户需求增长，Tower本次同步上调长期经营目标，预计2028年营收将达到36亿美元、净利润12亿美元，高于此前预估的28亿美元营收和7.5亿美元净利润目标，反映了Tower对AI光互连市场增长前景的乐观态度。

全球硅光制造进入新一轮扩产周期

Tower此次大规模扩建硅光产能，折射出AI数据中心高速互连需求快速增长带来的产业趋势变化。

随着AI模型规模持续扩大，算力集群正从万卡级向更大规模演进，数据传输逐渐成为限制系统性能提升的重要因素。相比传统电互连，硅光子通过将调制器、探测器、波导等光学器件集成于硅基芯片，可实现更高带宽、更低功耗以及更远距离传输，被认为是支撑下一代AI基础设施的重要技术路径之一。

目前，硅光技术正从传统高速可插拔光模块向NPO和CPO等先进光互连方案演进。随着800G光模块进入规模部署阶段，以及1.6T光模块逐步导入市场，产业链对硅光芯片、模块制造能力的需求持续提升。

在制造端，硅光产业正在经历由8英寸向12英寸晶圆升级的过程。除了Tower之外，联电近期也宣布位于新加坡的硅光产线实现首批晶圆量产，并计划推动光子芯片制造从8英寸向12英寸先进产线升级。

联电表示，硅光子与CPO将成为公司未来重要增长方向。通过导入12英寸制造平台，企业可借助成熟CMOS工艺和先进设备，提高生产效率，降低单位成本，并进一步提升光芯片性能与量产能力。

值得注意的是，联电新加坡硅光产线首个核心客户为当地光子企业Silith Technology，其产品供应链覆盖中际旭创、Coherent等全球主流光模块厂商，意味着其硅光制造能力已进入AI光互连产业链。

其他全球主要晶圆厂也正在加快布局硅光制造能力。例如：格芯（GlobalFoundries）收购AMF，整合硅光产能，推进硅光和硅锗工艺平台建设；台积电围绕光电共封装技术推出相关平台，探索将先进封装与光子集成结合，以满足未来AI芯片对高速互连的需求。

与此同时，中国硅光产业链也进入加速发展阶段。目前，国内企业已覆盖光芯片、光模块、晶圆制造以及封装测试等多个环节。

晶圆制造方面，国内晶圆厂也开始布局硅光制造能力。其中，粤芯半导体已建成12英寸硅光量产线；中芯国际、华虹等企业具备28nm及以上制程的硅光芯片生产能力......

光模块方面，中际旭创、新易盛、光迅科技等企业已成为全球高速光模块市场的重要供应商，并持续推进800G、1.6T硅光产品研发和量产。光芯片领域，源杰科技、长光华芯等企业正围绕硅光所需的连续波（CW）激光器、高速光芯片等关键器件推进国产化。

业内认为，未来几年，随着AI服务器、超大规模数据中心以及CPO等新型架构加速落地，硅光产业将迎来从技术验证向规模量产转变的重要阶段。具备12英寸制造能力、先进封装能力以及完整光电协同生态的企业，有望在下一轮高速光互连竞争中占据优势。（文：集邦光通信Janice）