传三星完成特斯拉AI5芯片2纳米流片,双代工策略与2纳米工艺分析

传三星完成特斯拉AI5芯片2纳米流片,双代工策略与2纳米工艺分析

  • 2026-07-14
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关键词: 特斯拉AI5芯片 三星 2纳米 流片 良率

7月13日,三星晶圆代工首席工程师James Kim在LinkedIn发文称,特斯拉下一代自动驾驶AI5芯片已完成流片(Tape-out),将采用三星最新2纳米工艺,在美国得克萨斯州泰勒晶圆厂生产。虽然该帖文在引发媒体关注后已被删除,但这一进展标志着三星2纳米工艺良率可能已突破关键门槛,也意味着特斯拉“双代工”策略进入实质性量产阶段。

(James Kim的爆料原文)

AI5芯片:专为“物理AI”打造

AI5是特斯拉第五代自研人工智能处理器,定位为边缘推理专用芯片,主要服务于全自动驾驶(FSD)、人形机器人Optimus以及特斯拉AI超级计算机集群。

(特斯拉AI5芯片)

根据马斯克此前披露及行业拆解估算,AI5核心规格如下:

算力:单颗芯片有用算力(INT8等效)约2000-2500 TOPS,是现款AI4(HW4)双芯片系统的约5倍;原始算力提升约8倍。

内存:容量约144GB,为AI4的9倍;带宽约1920 GB/s,为AI4的5倍。

架构:采用“半光罩”尺寸设计,删除传统GPU中的图像信号处理器(ISP)等冗余模块,全芯片转为AI推理加速器,专为Transformer引擎深度优化。

封装:采用环绕式封装设计,中央为大型计算核心裸片,外围排布12颗SK海力士DRAM内存模块,缩短计算单元与存储之间的物理距离,降低延迟。

马斯克曾表示,AI5单芯片性能对标英伟达Hopper级别,双芯片并联则接近Blackwell级别,但成本和功耗显著更低,在特斯拉特定工作负载下推理成本可比英伟达方案低10倍。

值得注意的是,AI5短期内不会率先搭载于特斯拉汽车。马斯克在2026年第一季度财报会上确认,AI5最初将用于擎天柱人形机器人和AI超级计算机集群,汽车端将继续使用升级后的AI4.1(配备翻倍内存与更高带宽),AI5只有在AI4继续生产变得不切实际后才会上车。

双代工策略

特斯拉并未将AI5押注于单一供应商。2025年11月,马斯克在X平台发文表示,AI5团队已经分别向三星和台积电提交了芯片设计,两家代工厂将设计转化为实体电路的方式不同,因此双方制造的AI5芯片版本会存在细微差异,但特斯拉的目标是让AI软件在不同版本芯片上实现完全一致的运行效果。

在2025年第三季度财报电话会议上,马斯克进一步解释称:“让三星和台积电都聚焦AI5非常有道理,且两边都在美国本土进行芯片制造(台积电亚利桑那工厂、三星得州工厂),公司希望一开始就有AI5的过量供给。”

从时间线来看,台积电早于三星数月就完成了AI5的流片。今年4月,马斯克曾在X平台展示过AI5芯片的首颗样品,并明确表示该处理器会同时在台积电和三星两地制造。

为何选择三星?

在"台积电+三星"的双代工格局中,特斯拉选择三星并非简单的产能备份,而是基于以下三重核心考量:

地缘与地理优势

三星泰勒(Taylor)工厂位于美国得克萨斯州,距离特斯拉总部和得州超级工厂不远。马斯克曾公开表示要"亲自督战",这种近距离便于特斯拉深度参与生产过程,及时解决技术问题。同时,美国本土生产契合"芯片制造回流"政策导向,有助于降低地缘政治风险。

(三星泰勒工厂)

成本与长约锁定

分析师普遍认为三星报价具备一定竞争力,对于特斯拉计划数十万乃至数百万颗级别的芯片采购而言,成本差异极为可观。2025年7月,三星披露已与特斯拉签署价值约165亿美元的长期代工协议,合同期限至2033年12月31日,提前锁定未来产能,避免重蹈单一供应商产能瓶颈的覆辙。

既有合作叠加工艺突破

三星已承担特斯拉上一代AI4芯片的部分生产,双方在供应链协同上已有成熟经验。更关键的是,三星2纳米工艺良率近两个季度实现快速爬坡,已突破60%门槛,基本追平台积电60%至70%的水平,证明其已具备承接AI5大批量订单的制造能力。这一工艺突破是特斯拉敢将AI5交给三星2纳米产线的决定性因素。

2纳米工艺:GAA架构与良率爬坡

三星为AI5配备的是其最先进的2纳米级工艺,这一节点被视为半导体制造的重要分水岭。

从FinFET到GAA的架构跃迁

2纳米工艺全面采用全环绕栅极(Gate-All-Around, GAA)晶体管结构,取代自22纳米以来沿用的鳍式场效应晶体管(FinFET)。GAA通过栅极完全环绕纳米片沟道,提升对导电通道的控制能力,可有效降低操作电压、减少漏电流,从而改善功耗与性能。

(FinFET和GAA结构示意图)

然而,GAA的制造难度呈指数级上升。纳米片堆叠、高K金属栅极环绕、刻蚀与沉积精度要求远超FinFET,工艺步骤包括超晶格结构外延、沟道释放、环形触点成型等,每一步都对设备与材料提出极限挑战。

良率:从20%到60%的艰难跨越

良率是2纳米工艺最大的“拦路虎”。据韩媒报道,三星2纳米GAA工艺良率曾在2024年下半年仅约20%,甚至一度传出GAA良率仅10%-20%的悲观评估,导致泰勒工厂量产计划从2024年底推迟至2026年。

但近两个季度以来,三星2纳米良率实现快速爬坡,已突破60%门槛,基本追平台积电60%-70%的水平。这一突破被视为三星能够承接特斯拉大批量订单的关键前提。

2027年才是关键节点

尽管流片完成标志着AI5从设计走向制造,但距离大规模装车仍有较长周期。

马斯克在2025年11月明确指出,2026年可能会有AI5样品和小规模生产部署,但大规模量产要到2027年才能实现。

(马斯克2025年11月在X平台上的发文)

更具体地说,马斯克强调特斯拉需要“数十万块完整的AI5芯片”才能完成整车生产线的切换,而这一产量要到2027年中期才能达成。

三星泰勒工厂预计2026年下半年开始试产,2027年启动大规模量产。这意味着,AI5的真正规模化应用仍需等待至少一年以上的产能爬坡与认证周期。


来源:电子工程专辑