德国汽车零部件霸主把SiC筹码押到了美国——这是博世在美130余年历史上第一次拥有自己的半导体晶圆厂。

当地时间7月13日，博世宣布，其位于美国加利福尼亚州Roseville（罗斯维尔）的8英寸碳化硅（SiC）晶圆厂已启动样品生产，预计2026年内切入商业芯片制造。这座工厂是博世在美的首座半导体生产基地，前身是2023年博世收购的美国芯片厂商TSI Semiconductors，全期改造投资20亿美元。

同日，博世确认，改造项目已与美国商务部签署《CHIPS与科学法案》直接资金协议，获2.25亿美元联邦资金支持，另加加州方面2500万美元税收抵免激励。

Roseville工厂的半导体制造史可以追溯到上世纪80年代，在被博世接手前，TSI Semiconductors已在车规和工业半导体设计、生产上积累了近40年经验。2023年4月博世宣布意向收购，同年8月31日完成对TSI核心资产（厂房、设备、基础设施及商业半导体业务）的交割，新公司命名为Robert Bosch Semiconductor LLC，约250名本地员工随产线转入博世体系。

最初博世的改造预算是15亿美元，后上调至20亿美元——差额部分恰好与CHIPS法案的2.25亿美元直接资金+约3.5亿美元拟议政府贷款形成配套。

按规划，Roseville产线将基于200毫米（8英寸）晶圆制造和测试SiC功率半导体，应用场景覆盖电动汽车牵引逆变器、充电系统、数据中心、混动车以及国防领域。美国商务部估算，该工厂满产时将占美国全部SiC器件产能的40%以上。

碳化硅作为宽禁带半导体，耐压、耐温、开关速度快、体积还能做小，是电动车功率器件里绕不开的材料。博世汽车电子总裁Michael Budde此前在收购TSI时给过一个直观数据：电动车里用SiC芯片，能耗最多可降50%，换来的是更长续航和更高充电效率。

博世自己从2021年第一代SiC量产至今，全球累计出货已超6000万颗，在德国罗伊特根（Reutlingen）有一座6英寸转8英寸的SiC工厂并行跑样品。Roseville补齐的是“美国本土产能”这块短板——此前博世的SiC主要依赖德国产线，跨大西洋供应链在地缘政治和车企“近岸采购”压力下越来越吃紧。

这次2.25亿美元直接资金，是《芯片与科学法案》527亿美元政策资金池分给功率半导体的一部分。美国商务部芯片项目办公室（CHIPS Program Office）在公告里把SiC定义为“能源、汽车、国防多个关键行业电气化的使能技术”。

美国商务部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）表示：“特朗普政府致力于在美国本土建立安全的供应链，这将使美国在对国家和经济安全至关重要的行业中能够持续创新并保持竞争优势。”

博世北美总裁兼CEO Paul Thomas也表示，“在美国生产碳化硅芯片有助于增强供应链韧性，并充分利用美国制造合作伙伴的专业技术，及时将这项技术推向美国市场”，并提到《美墨加协定》也是博世加大在美芯片投资的原因之一，车企越来越倾向找“能在附近稳定供货”的伙伴。

伴随样品生产启动和CHIPS资金落地，博世同步把对美投资的长期承诺抬到了新高度，目标到2031年在美投资至高75亿美元。