7月6日，韩国存储芯片巨头SK海力士正式启动美国上市计划。根据向美国证券交易委员会提交的监管申报文件，公司将发行对应1779万股普通股的美国存托凭证，本次发行总规模约280亿美元，按募资规模计算有望跻身全球史上第二大新股发行行列，同时也有望成为外资企业在美交易所有史以来规模最大的一次上市。

（路透社报道SK海力士赴美上市）

值得注意的是，SK海力士并非首次登陆资本市场，其普通股早于1996年12月26日就在韩国交易所挂牌上市。本次登陆纳斯达克属于二次上市，以美国存托凭证的形式挂牌，将完整保留韩国本土的上市地位，形成韩美双重上市架构。

本次发行所得资金将定向投入资本支出与极紫外光刻机采购，全部服务于公司在人工智能存储芯片领域的产能扩张计划。此前SK海力士已宣布，将投入100万亿韩元新建多座芯片工厂，包含一座NAND闪存工厂，持续加码存储产能布局，把握人工智能产业红利。

赴美上市四大动因

作为已在本土成熟上市的行业龙头，SK海力士选择此时赴美二次上市，是融资需求与长期战略的双重布局，核心动因可归纳为四点：

第一，承接大额扩产融资，支撑AI产能落地。当前公司正处于AI存储芯片产能扩张的关键周期，本次募资体量远超韩国本土市场的单轮融资承接上限，可直接匹配其巨额资本开支计划。SK集团会长崔泰源曾公开表示，赴美上市能够打通面向全球多元化股东的融资通道，为长期产业布局提供稳定的资金支撑，降低单一区域资本市场波动带来的估值扰动风险。

第二，修复估值折价，推动定价体系重塑。受上市地市场深度限制，SK海力士长期存在“韩国折价”，当前其预期市盈率低于美股同行美光科技，估值水平与自身行业地位不匹配。登陆纳斯达克后，公司将接入美股科技股定价体系，同时有望被纳入纳斯达克100指数，吸引被动指数资金持续流入，推动估值向AI基础设施龙头的合理水平靠拢，缩小与同行的估值差距。

第三，降低全球投资门槛，优化股东结构。此前多数海外投资者参与韩国股市存在交易时段错位、账户开通流程复杂、场外非担保存托凭证流动性不足等问题，本次纳斯达克挂牌后，全球投资者可在美股交易时段便捷配置公司股票，有助于引入更多长期科技主题基金、被动指数资金，优化股东结构，提升股票的全球流动性。

第四，绑定北美AI产业生态，强化全球话语权。美股是全球AI科技产业的核心资本市场，SK海力士作为高带宽内存赛道龙头，核心客户覆盖英伟达、谷歌等北美科技巨头。美股上市可提升公司在全球科技产业中的品牌能见度，深化与下游核心客户的产业联动，进一步巩固其在AI存储赛道的领先地位。

市值突破万亿美元

受益于全球人工智能产业带动的高带宽内存需求激增，SK海力士今年以来股价涨幅显著。不同统计口径显示，该股年内累计涨幅在240%至270%区间，伴随股价持续上涨，公司市值已突破1万亿美元，跻身全球估值最高的科技企业行列。

强劲的行业地位与技术实力构成了本次上市的核心支撑。作为全球人工智能存储赛道的核心厂商，SK海力士是高带宽内存芯片的核心供应商，英伟达、谷歌等企业的人工智能设备均采用其产品。

2026年第一季度，公司营业利润攀升至37.61万亿韩元，创下历史新高；营收实现近三倍增长，达到52.58万亿韩元，超出市场普遍预期。

（SK海力士2026Q1部分营收数据）

HBM市占率稳居第一

据Counterpoint Research数据，2025年第四季度，SK海力士在全球高带宽内存市场的收入份额达到57%，全年市占率约58.3%，持续领先三星电子、美光科技等主要竞争对手。产品技术迭代方面，公司已形成完整的代际布局，领跑行业技术路线：

主力供货产品HBM3E是当前全球AI算力市场的主流配置，深度绑定英伟达Blackwell平台，同时也是微软定制AI加速器Maia200的独家供应商，并切入谷歌TPU核心供应链。

下一代旗舰产品HBM4于2025年9月完成全球首次完整研发开发，并同步搭建完成量产配套产线，是业界唯一可同时稳定供应HBM3E与HBM4的厂商。该产品适配英伟达下一代Vera Rubin旗舰AI平台，预计2026年二季度启动大规模出货。

进阶版本HBM4E的送样节奏已提前，于2026年6月正式向核心客户交付样品，产品引脚速率、能效相比HBM4实现大幅升级，瞄准2027年高端AI算力市场的升级需求，与三星展开高端赛道竞争。

针对高堆叠HBM的散热瓶颈，公司于2026年5月发布iHBM内嵌散热方案，在封装内部集成冷却元件，可将热阻降低30%，适配下一代更高堆叠、更高速率的HBM产品，解决高负载AI场景下的散热难题。