美光日本广岛HBM新工厂奠基,预计2028年出货

美光日本广岛HBM新工厂奠基,预计2028年出货

  • 2026-07-07
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关键词: 美光

美国美光科技正推进日本广岛工厂扩建,全球存储器企业围绕人工智能(AI)存储器制造基地的扩产竞争持续升温。

据报道,美光已于当地时间 7 月4日举行日本广岛工厂扩建项目动工仪式。该项目投资规模为1.5万亿日元,约合94.8亿美元,629.75亿元人民币。

美光计划在现有广岛工厂新建制造厂房,用于生产HBM等AI存储器芯片,预计相关产品将于2028年夏季前后开始出货。

日本政府也在加大支持力度。据悉,日本经济产业省已安排最高5000亿日元资金,用于支持广岛工厂建设成本。 外界认为,日本此举是希望借助美光这一在日本运营唯一DRAM制造基地的企业,确保本土拥有先进存储器生产基地。

AI存储器供应紧张是此次投资的重要背景。美光近期判断,存储器供应短缺短期内难以缓解,并正在加快相关投资。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra近期表示,2023年存储器价格大幅下跌,以及客户要求降价的压力,削弱了行业投资能力。他解释称,当时存储器市场环境恶化导致资本开支下降,其后续影响造成了当前的供需失衡。

除日本外,美光也在美国加快扩充生产设施。公司目前正在爱达荷州博伊西建设一座先进生产设施,同时还计划在纽约州锡拉丘兹市附近推进大规模DRAM生产设施投资。(校对/赵月)


来源:爱集微