在人工智能（AI）算力需求爆发的背景下，韩国元器件巨头三星电机正积极拓展硅电容器（Si-Cap）技术，全面瞄准高增长的AI服务器市场。目前，该公司正与多家全球大型科技公司洽谈供货事宜，目标与村田制作所和台积电共同跻身主要供应商行列。

近日，三星电机在首尔市中心的太平路大厦举办了一场技术研讨会，分享了其硅电容器的最新技术及商业化战略。

三星电机高级副总裁兼硅电容开发组负责人金元基在会上表示：“全球知名的科技巨头都在重新评估硅电容的应用。由于市场主要由少数供应商主导，三星电机也在积极拓展销售渠道。”

三星电机的硅电容器

长期以来，硅电容器市场由村田制作所和台积电两大巨头主导。该行业准入门槛极高，既需要半导体晶圆工艺技术，也需要被动元件方面的专业知识，这限制了供应商的数量。

然而，随着AI芯片功耗的急剧攀升，对电源稳定性的要求达到了前所未有的高度，为三星电机带来了破局机会。三星电机已将硅电容器定位为瞄准AI市场的关键增长业务。

事实上，三星电机去年已开始向客户出货，正式进军该市场。其主要供应对象包括网络ASIC供应商Marvell Technology的AI加速器，以及三星电子Exynos 2600移动应用处理器封装。

据悉，三星电机近期从一家全球大型科技公司获得了一份价值1.5万亿韩元的供货合同。这是该公司历史上最大的单笔订单，预计相关收入将从2027年开始计入公司盈利。

为了在激烈的竞争中脱颖而出，三星电机提出了一项整体解决方案战略：将其硅电容器、MLCC和封装基板业务深度绑定。金元基解释道，硅电容器通常安装在封装基板内部或附近，通过同时供应这两种产品，三星电机能够同步设计和优化封装及元件。他强调，三星电机是目前唯一一家同时运营被动元件和封装基板业务的企业。

在生产模式上，三星电机采取了以设计为中心的无晶圆厂（Fabless）策略。公司并未建造大规模的生产设施，而是将300毫米晶圆的生产外包给代工厂，元件封装交由OSAT公司完成，自身则专注于产品设计、测试和质量验证。

与传统MLCC通过堆叠多层陶瓷层实现电容不同，硅电容器是在硅晶圆上制造微孔并将电极放置在孔内，这种结构可将厚度压缩至100微米以下。三星电机的独特之处在于其商业理念源自DRAM技术。通过将DRAM存储单元内部的电容器发展为独立组件，并直接利用缩小DRAM电路线宽积累的精细工艺，成功研发出了硅电容器。这与台积电基于逻辑工艺的沟槽结构形成了明显的技术差异。

三星电机预测，硅电容器市场将以超过18%的年均速度增长，应用领域正从移动设备快速扩展至AI服务器、汽车电子、航空航天和光通信等领域。其中，随着功率密度的增加和封装集成度的提高，AI服务器正成为最大的需求来源。金元基表示：“随着半导体性能的提升，电源稳定性的重要性也日益凸显。硅电容器将在AI服务器和下一代高性能半导体市场中继续发挥越来越重要的作用。”