6月12日，国产氮化镓(GaN)大厂英诺赛科通过官方公众号宣布，最高人民法院正式发出临时禁令复议裁定书，维持苏州中院针对英飞凌的销售禁令，意味着从此刻起英飞凌相关氮化镓产品被禁止在中国境内销售，英诺赛科取得了专利侵权案的最终胜利。

这场震动半导体行业的交锋，其核心在于对GaN功率器件底层结构专利的争夺。

早在2025年1月16日，英诺赛科及其全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司曾向中国江苏省苏州市中级人民法院提起诉讼，指控英飞凌科技（中国）有限公司、英飞凌科技（无锡）有限公司及苏州芯沃科电子科技有限公司侵犯其两项专利，涉及金额和法律影响引发行业关注。

此次诉讼涉及的两项专利分别为202311774650.7号和202211387983.X号专利。这两项专利均与GaN功率器件及其制备方法相关，是英诺赛科在氮化镓领域的重要技术成果。

在随后的诉讼推进中，双方围绕“专利权有效性”展开了激烈攻防。4月24日，英诺赛科宣布收到北京知识产权法院发来的两件专利行政诉讼胜诉判决，北京知识产权法院全面维持了英诺赛科公司的两件氮化镓技术核心发明专利的有效性，驳回英飞凌公司的无效诉讼请求，英诺赛科在这两项关键行政诉讼中再次取得了重大胜利。

5月27日，苏州中院针对英诺赛科起诉英飞凌发明专利侵权案做出英诺赛科胜诉的判决：英飞凌被判侵犯英诺赛科的两项氮化镓核心发明专利，并判英飞凌立即停止包括销售、许诺销售、进口等行为，并赔偿英诺赛科损失合计1000万元，立即生效。6月12日，最高人民法院就苏州中院上述判决做出最终复议裁定，明确维持苏州中院的禁令判决，为这场专利对决最后盖棺定论。

两家公司的专利战并非只在中国，在美、德两国，双方也展开了全方位较量。

5月8日，美国国际贸易委员会(ITC)全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科(Innoscience)侵犯了英飞凌的一项氮化镓(GaN)技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。不过，ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令，仍需经过为期60天的美国总统审查期后才能生效。

除美国市场的相关裁定外，英飞凌与英诺赛科在德国也存在专利相关诉讼：英飞凌已向慕尼黑第一地方法院(Landgericht München I)就三项专利和一项实用新型专利的侵权问题提起诉讼。其中，早在2024年8月，该法院已裁定英诺赛科侵犯了英飞凌所指控的首项专利，另有一项专利和一项实用新型专利的庭审定于2026年6月举行。

行业分析指出，本次案件完整历经专利确权、无效抗辩、侵权一审、最高法禁令复核的全司法流程，证明国产GaN底层专利具备强法律壁垒的同时，也扭转了海外巨头单方面对华半导体企业专利打压的局面，形成中美欧双向专利制衡格局，对国内半导体行业知识产权保护体系建设具备重要借鉴意义。