高带宽存储器（HBM）的竞争主轴，正在从“能跑多快”切换到“能扛多热”。

6月4日消息，在2026台北国际电脑展（Computex 2026）上，全球三大存储巨头围绕下一代HBM5展开了激烈的技术交锋。这场竞争的核心已从单纯追求传输速度，全面转向对封装能力与热管理技术的极限挑战。

三星电子在展会上首次公开展示了第八代高带宽存储器HBM5原型，并宣布已向客户交付12层HBM4E样品。三星首席技术官宋载赫表示：“随着AI系统日趋复杂，集存储、代工与封装于一体的全栈能力才是决胜关键。”

据悉，三星的HBM5将采用自家2纳米工艺制造基础芯片，并引入名为HPB（Heat Path Block）的全新热管理技术。该技术通过在芯片内部嵌入铜基导热结构，开辟出独立的“烟囱”式热传导通道，以大幅降低热阻。三星规划HBM5提供12层至20层堆叠方案，目标在2028年左右实现量产。

与此同时，三星更“马上能用”的筹码是HBM4E（HBM4的进阶版/增强版）。多家报道称其已向主要客户交付12层HBM4E样品，并给出14Gbps档位、单栈带宽约3.6TB/s、容量48GB量级的性能锚点，用来先稳住当季的AI服务器供应链话语权。

而SK海力士则选择在Computex开幕前一周抢先发布差异化散热技术“iHBM”。该方案直接在发热最集中的D2D PHY区域嵌入一体化冷却元件“ICE”，构建专用排热通道。

据官方数据，iHBM相比传统方案可将热阻降低30%以上，且沿用成熟的MR-MUF封装工艺，确保与客户现有系统高度兼容。SK海力士封装开发负责人李康旭副社长称其为“实现产品最低发热的最优方案”。

不过，业内分析指出，SK海力士的HBM5量产时间定在2029年至2030年，比三星晚约一年。SK集团会长崔泰源在展会期间重申，“AI带来的存储芯片短缺将持续到2030年”，公司计划未来五年将晶圆产能翻倍。

此前在HBM市场处于追赶姿态的美光科技也展示了其完整的AI优化内存与存储解决方案组合。美光执行副总裁Sumit Sadana强调，系统性能现在更多地由内存带宽和容量驱动，内存已成为不可或缺的“战略资产”。

美光透露，其2026年全部HBM产能已全部售罄，并将HBM市场规模预期上调至2028年达到1000亿美元，比此前预测提前了两年。目前，美光已开始批量出货面向英伟达Vera Rubin平台设计的HBM4 36GB 12层堆叠产品。

在HBM技术竞争中，最大采购方英伟达的态度至关重要。截至目前，英伟达尚未对三星HPB与SK海力士iHBM两条散热路线公开置评。

消息人士透露，英伟达正在同时验证两家厂商的技术，最终选择将取决于量产良率与系统集成效率。整体来看，散热和封装良率已成为HBM竞争的核心瓶颈，谁能在超高堆叠层数和极致热管理上率先突破，谁就能拿下下一代AI算力的入场券。