据韩媒The Elec最新报道，美光第六代高带宽内存（HBM4）的产能扩充正在顺利推进，量产爬坡速度创下公司历史新高。与此同时，美光正式披露了下一代HBM4E产品的战略布局，宣布将调整生产策略，携手晶圆代工龙头台积电（TSMC），计划在2027年启动大规模量产，全面加速在AI高端存储市场的突围。

在近日举行的摩根大通投资者会议上，美光科技全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚（Manish Bhatia）透露，目前美光HBM4的量产爬坡速度已达到去年12层HBM3E产品的约两倍，且良率提升速度显著加快。这一突破主要得益于三大核心因素：首先，美光在此前HBM3与HBM3E的量产中积累了深厚的经验与学习效应；其次，HBM4核心裸片采用了美光成熟的10纳米级第五代1-beta（1β）工艺，该工艺在性能和良率上已得到充分验证；最后，美光内部优化的基础裸片设计进一步提升了整体产品的质量与稳定性。

据悉，美光HBM4已实现36GB 12层堆叠产品的批量出货，主要面向英伟达（NVIDIA）下一代Vera Rubin AI计算平台。这一进展标志着美光已不再是单纯的技术追随者，而是成功跻身英伟达核心供应链，成为其AI算力生态中的重要部分。

面对愈发激烈的行业竞争，美光在下一代HBM4E产品上做出了重大的战略调整。据披露，HBM4E的核心裸片将升级为10纳米级第六代1-gamma（1γ）工艺。这是美光首次在量产工艺中引入ASML的极紫外光刻（EUV）设备，旨在通过更先进的光刻技术突破物理极限，提升存储密度与能效。

从HBM4E开始，美光将改变以往基础裸片（Base Die）自研自产的模式，转而交由台积电代工生产。这一决策意味着美光将深度绑定全球最先进的晶圆制造工艺，以弥补自身在先进逻辑制程上的短板。美光预计，HBM4E将于2027年正式量产，首批产品将采用JEDEC行业标准，同时也会针对核心客户的特定需求开发定制版本，以提供更高的性能和差异化竞争优势。

目前，全球HBM市场正呈现出三星、SK海力士与美光“三足鼎立”的激烈格局。面对美光的强势进攻，韩系双雄也在加速推进HBM4E的研发进程。三星电子计划在今年第二季度提供首批HBM4E样品，其基础裸片将由三星自家晶圆代工部门采用4纳米工艺制造；SK海力士则计划在下半年送样，并于2027年开始量产，其基础裸片同样交由台积电代工，且将采用更为激进的3纳米工艺。

尽管在送样节奏上稍显落后，但美光通过与台积电的深度合作，有望在良率控制和性能指标上迅速缩小与韩系大厂的差距。美光同时预计，到2026年年中，基于1γ工艺生产的DRAM以及第九代NAND闪存产品，将占公司总位元出货量的一半以上，1γ工艺也将成为美光史上产量规模最大的单一DRAM工艺节点。