AI服务器带动高容量DDR5 RDIMM与高容量QLC／TLC，成为单片晶圆产值最高的存储产品。在高端产能稀缺下，韩系及美系存储原厂产能配置，全面倾斜AI相关高产值产品。

另一方面，随Agentic AI推动模型由训练转向推理，AI数据中心CPU需求快速提升，带动DDR5 RDIMM需求快速增长，对已高度短缺的供给，形成更大压力。

法人认为，未来RDIMM、HBM、eSSD与Switch等服务器相关存储产品，将逐步摆脱过去Commodity属性，转变为AI基础建设中的核心战略资源，台系存储制造厂如南亚科、华邦电及旺宏，有望受惠存储产业结构性的改变。

为确保存储供给量，美系云端供应商（CSP）正积极与原厂洽谈长约（LTA），以确保RDIMM、HBM与eSSD供应稳定。

但2026年至2027年全球存储投片量，仍受限于高阶无尘室不足、EUV设备供应吃紧，以及三星、SK海力士与美光等大厂，优先将资源集中于高阶DRAM产品等因素。

法人预估，2026年与2027年全球DRAM投片量年增率仅约9％与11％，NAND Flash则约为-2％与5％，供给成长相对有限。

台厂方面，南亚科成为市场关注焦点。南亚科正积极推进DDR5布局，预计2026年底至2027年陆续量产高规DDR5产品，并有机会切入RDIMM与AI服务器市场。

随产品结构由TV、STB等消费应用，逐步转向服务器相关应用，未来产品组合与获利能力可望显著提升。

华邦电则可望受惠Consumer DDR4供给持续退出。随主要DRAM原厂逐步缩减DDR4产能，市场供给持续收敛，也有利华邦电在利基型DDR4与特殊型存储市场的议价能力提升。

法人看好华邦电CUBE与高附加价值产品布局，并进一步切入Si-Cap相关制程整合，逐步由传统存储供应商，朝AI特殊存储与高速运算供应链升级。

旺宏则可望受惠MLC／SLC NAND供给收缩。由于国际大厂将产能转向高容量QLC与企业级储存产品，低容量SLC／MLC NAND供应持续减少，也使工控、车用、网通与嵌入式市场需求转向利基型供应商。法人认为，旺宏后续NOR Flash与SLC NAND产品报价与产能利用率，均有机会进一步提升。