在AI算力快速崛起的行业背景下，近期，三星、铠侠两大行业头部厂商陆续发布产能优化计划，将逐步停止MLC NAND闪存产品的生产与供应。

MLC NAND作为传统平面式2D闪存的核心品类，凭借其高耐久度、长数据保存周期及稳定的环境适应性等核心优势，长期应用于工业控制、医疗设备、车载电子、老旧嵌入式系统等对存储可靠性要求严苛的利基领域，是上述小众刚需市场的核心存储元器件。但该类产品以低容量规格为主，单位晶圆产值及利润率处于较低水平，在当前存储行业的竞争格局中，已逐渐成为头部厂商的低效产能，面临被优化出清的局面。

从厂商具体落地举措来看，三星率先启动MLC NAND产能清退工作。2026年3月，三星正式关停韩国华城最后一座2D NAND专属产线，该产线月产能达8-10万片晶圆，后续将全面改造为适配AI领域需求的高端DRAM后端制造基地。与此同时，三星已向全球客户正式下发MLC NAND停产通知，计划于2026年6月完成最后一批次产品出货，实现该品类全面停供，此举将直接导致全球2D NAND整体产能缩减约20%。

紧随三星之后，铠侠也于今年3月正式官宣MLC NAND退出计划，停产范围涵盖2D NAND、第三代BiCS Flash及TSOP封装低容量MLC全系列产品，并明确分阶段退出节奏，确保供应链平稳过渡。具体来看，铠侠设定的退出节点为：2026年5月30日截止客户采购预测提交，9月30日停止接收新订单；2027年3月15日前完成TSOP封装MLC产品全部出货，2028年12月31日前实现全系列2D/MLC NAND最终交付，2029年全面退出该领域。

分析认为，存储巨头集中退出MLC NAND市场，背后是行业发展规律与企业战略布局的三重核心驱动，同时也契合全球存储产业的转型趋势。

其一，AI算力需求爆发挤压产能资源，高毛利产品成为核心布局方向。当前全球数据中心、AI服务器需求呈爆发式增长，HBM、高端3D TLC/QLC NAND、企业级大容量存储已成为厂商利润核心，有限的洁净室、晶圆等产能资源优先向高附加值领域倾斜，MLC NAND作为低效产能被主动出清。

其二，3D堆叠技术全面迭代，传统2D MLC NAND丧失规模化价值。目前铠侠332层、三星286层等高堆叠3D NAND技术日趋成熟，TLC、QLC闪存兼顾大容量与成本优势，成为市场主流；而2D MLC NAND存储密度低，无法适配主流需求，规模化性价比持续下滑。

其三，市场规模局限导致大厂量产缺乏经济性。MLC NAND需求集中于工控、医疗、军工等小众利基领域，市场体量有限，难以覆盖头部厂商产线运营成本，产能收缩成为最优选择。此外，美光、SK海力士也在同步关停2D NAND老旧产线，全球MLC供给收缩已成行业共识。

据TrendForce数据显示，2026年全球MLC NAND产能同比缩减超41.7%，后续供给量将持续下滑，且国际主流厂商均无扩产计划，供需缺口将持续扩大。

受此影响，价格端方面，现货市场已出现剧烈波动，部分MLC NAND型号价格涨幅超300%；工控、医疗等下游厂商为保障供应链稳定，启动恐慌性囤货，低容量eMMC、TSOP-MLC合约价在2025年Q4至2026年Q1期间涨幅达150%。

供应链方面，由于TLC、QLC闪存的耐久度、数据保存周期无法替代MLC NAND，下游专用设备厂商面临长期供货不确定性，部分老旧设备甚至面临断供风险。

在国际头部厂商主动退出利基市场的背景下，多家国产及台系存储厂商已成为承接工控、车规、安防等领域MLC NAND订单的核心力量。国内厂商依托成熟的生产制程、完善的本土化供应链服务体系，能够快速填补国际厂商退出后形成的市场空缺，MLC、SLC等利基型存储产品迎来市场放量的关键窗口期，国产存储芯片在细分高端利基赛道的市场话语权有望得到持续提升。