英特尔Z-Angle Memory（ZAM）技术已接近研发完成，正全力投入AI市场浪潮，试图挑战HBM作为高带宽内存主流方案的地位。

作为高带宽、大容量市场的重要创新，ZAM正在内存行业引发高度关注。这项技术由英特尔与软银（SoftBank）共同开发，目标是提供低功耗、高密度的解决方案，以取代HBM。

根据最新信息，ZAM内存的带宽预计将达到HBM4的两倍，并可与下一代HBM4E相媲美。ZAM预计将在2028年至2030年间进入量产阶段。在2026年VLSI研讨会上，预计英特尔与软银旗下子公司Saimemory将进一步披露相关细节。

在架构设计上，ZAM采用9层堆叠设计，其中单一堆叠包含8层DRAM，每两层DRAM之间仅由3微米厚的硅基板隔开，并由主基板上的单一逻辑控制器（Logic Controller）统一管理。该技术包含三层硅通孔（TSV）结构，每层通过混合键合（Hybrid Bonding）设置1.37万个互连路径。

在容量与性能方面，ZAM每层提供1.125GB容量，使单一堆叠达到10GB，整体封装可达30GB。

尽管HBM目前仍是AI加速器与GPU的主流内存方案，但随着规格提升，已面临发热与功耗等结构性挑战。ZAM则针对高密度、高带宽与低功耗进行了优化，其垂直结构有助于散热，避免了传统布线层造成的热堆积问题。

ZAM的主要优势包括：

极高带宽密度：约0.25 Tb/s/mm2，显著高于HBM。

更低功耗：针对数据传输能耗进行了优化。

更佳散热管理：垂直架构有效降低热量积累。

更高堆叠潜力：支持9层以上堆叠，采用3μm超薄硅基板。

先进互连技术：包含磁场耦合无线I/O与混合键合。

AI工作负载优化：专为打破生成式AI的内存瓶颈而设计。

ZAM的最终目标是通过3.5D封装技术实现高密度3D内存集成，将高带宽大容量内存、电源与接地轨（Power/Ground rails）、硅光子（Silicon Photonics）及传统I/O集成于单一基板上。