据韩媒ChosunBiz援引业内人士报道，三星电子计划于5月正式生产首批HBM4E内存性能样品。这将为三星HBM4E在2027年至2028年大规模供应奠定基础，并进一步巩固其在英伟达（NVIDIA）供应链中的核心地位。

根据三星内部时间规划，5月中旬将成为HBM4E研发进程中的关键分水岭。届时，三星晶圆代工部门将率先完成HBM4E核心逻辑芯片（Base Die）的生产，随后将其交付给存储器业务部门，进行后续的3D堆叠封装工序。

与今年3月在NVIDIA GTC 2026大会上展示的仅用于技术验证的演示样品不同，此次5月生产的样品将是首批符合客户性能要求的工程样品。在完成内部严格的性能评估且各项指标达标后，这些样品将被送往英伟达进行进一步验证。

在技术规格方面，三星HBM4E延续了HBM4的架构优势，采用1c nm DRAM Die和4nm Base Die工艺。虽然制程节点未变，但三星在工艺细节上进行了精心优化，显著提升了信号完整性和整体性能。据披露，HBM4E的单引脚数据传输速率高达16Gbps，整体带宽突破4.0TB/s，相比现有的HBM4产品，传输速度提升37%，带宽增加21%。

当前，HBM4作为第六代产品，正处于大规模铺货的前夜。三星已于今年2月宣布HBM4量产，其11.7Gbps的处理速度远超业界标准。然而，面对英伟达下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”的严苛要求，仅仅依靠HBM4是不够的。

HBM4E作为HBM4的增强版，承上启下，既是对现有工艺的极致挖掘，也是通往未来HBM5的必经之路。对于三星而言，拿下HBM4E的首供资格，意味着锁定了未来两代AI芯片的“入场券”。

三星此次加速HBM4E的研发与送样，背后是激烈的市场竞争。目前，全球HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家垄断。此前，SK海力士凭借在HBM3E时代的先发优势，在英伟达供应链中占据了领先地位。

为了扭转局势，三星采取了更为激进的策略。除了在GTC 2026上首发HBM4E概念外，三星还充分利用了其垂直整合（IDM）的优势——即同时拥有晶圆代工和存储器生产能力。这种模式使得三星能够更快速地协调Base Die与DRAM Die的匹配，缩短从设计到成品的交付周期。

与此同时，竞争对手SK海力士也在全力反击。据悉，SK海力士计划在2026年陆续推出8层、12层和16层的HBM4E产品，并优先考虑在逻辑芯片上应用台积电的3nm工艺，试图通过更先进的制程来实现弯道超车。

随着英伟达“Vera Rubin”平台的临近，AI芯片对内存带宽的需求正逼近4TB/s的关口。三星计划在2026年下半年实现HBM4E的批量生产，并目标在2027年占据全球HBM4E市场份额的50%以上。与此同时，三星已着手布局HBM5，计划于2028年推出样品，采用更精细的1d DRAM工艺和2nm制程。