当地时间1月7日，美光宣布，将于1月16日下午1点在美国纽约州奥农达加县举行大型工厂的奠基仪式，届时将与美光高管以及美国联邦和州政府领导人共同庆祝这座价值1000亿美元的美国史上最大半导体制造工厂的开工建设。

美光强调，该项目是美国纽约州历史上最大的私人投资项目，将打造全球最先进的存储半导体制造中心，该设施将包含多达四个工厂，将有助于满足人工智能系统日益增长的需求。

据悉，美光于2022年10月宣布建厂计划时，原计划于2024年中期开工。然而，由于长达2万页的环境评估报告，工期被推迟了约一年半。美光科技计划在3月31日前清除场地内的所有树木，然后进行铁路支线建设和湿地平整工作。报道称，美光计划于2030年投产纽约州首家工厂，并在三年后开设第二家工厂。预计到2045年第四家工厂建成时，员工总数将达到9000人。该公司首席执行官Mehrotra对此充满信心，他表示：“随着全球经济迈入人工智能时代，先进半导体领域的领先地位将成为创新和经济繁荣的基石，我们的投资和发展将巩固我们作为美国唯一一家存储器制造商的地位。”

美光的工厂建设预计将给人工智能半导体生态系统带来重大变革。此前，在拜登政府执政期间，美光科技根据《芯片法案》获得了55亿美元的税收优惠，因此决定进行这项投资。在宣布该项目时，美光将其描述为“未来十年内将美国制造的尖端DRAM产量提升至全球产量40%战略的一部分”。据市场研究公司Counterpoint Research的数据显示，2025年第三季度美光半导体在全球HBM市场的营收份额为21%，位列SK海力士（57%）和三星电子（22%）之后，排名第三。在包含HBM在内的整个DRAM市场中，2025年第三季度的排名分别为SK海力士（34%）、三星电子（33%）和美光（26%）。如果美光能够如计划在美国政府的支持下将市场份额提升至40%，则有望跃升为全球第一大存储公司。（校对/李梅）