美国ITC调查三星HBM和DDR5专利侵权指控

美国ITC调查三星HBM和DDR5专利侵权指控

  • 2026-01-04
  •  126

关键词: 三星 DDR5 Netlist

美国国际贸易委员会(ITC)已对半导体公司Netlist针对三星电子提出的半导体专利侵权指控展开调查。

Netlist于1月2日宣布,ITC于2025年12月30日投票决定对三星电子及其客户谷歌和Super Micro展开调查。ITC将根据其是否认定三星电子侵犯Netlist的专利权,决定是否禁止相关产品进口到美国。

Netlist声称,三星电子的核心内存产品,包括高带宽存储器(HBM)和DDR5,侵犯了其技术专利。该公司已请求ITC发布排除令及停止令,以阻止涉嫌侵权产品进口到美国。

ITC表示,将在启动调查后45天内设定完成调查的目标日期,并尽快发布最终调查结果。

Netlist CEO Hong Chun-ki,表示:“我们欢迎ITC决定对被告的不公平贸易行为展开调查。”他补充道:“Netlist将继续采取坚决措施,防止他人未经授权使用我们的知识产权。”


来源:爱集微