中国台湾当局担心台积电进军美国市场会削弱中国台湾在半导体领域的领先地位，因此正在考虑制定一项新的出口规则，仅允许这家全球最大的晶圆代工厂出口落后其领先生产节点两代的技术。如果这项政策实施，可能会减缓台积电在美国的扩张步伐，因为该公司目前正积极在美国建设先进的晶圆厂。

这项新出口政策的核心是“N-2”规则，该规则仅允许在海外部署落后中国台湾领先技术两代的工艺技术。此前，中国台湾当局一直坚持“N-1”规则，允许台积电出口所有落后领先制造工艺至少一代的技术。新的框架则更为严格。根据不同的技术世代划分标准，台积电可能只能出口比其最先进技术落后2~4年的制程节点。

中国台湾科技委员会成员林发成表示，按照这种划分方式，如果台积电在岛内研发出1.2nm或1.4nm级别的制程工艺，那么只能允许1.6nm级别及以上的工艺产品才能出口到海外。

目前，台积电亚利桑那州Fab 21一期工厂能够生产N4/N5制程节点（4nm/5nm，属于同一代）的芯片。在国内，台积电拥有多座已全面投产的晶圆厂，具备3nm级别制程能力（N3B、N3E、N3P等），并且即将开始大规模生产N2制程节点（2nm）的芯片。从形式上看，台积电的Fab 21一期工厂已经符合“N-2”规则。然而，一旦台积电于2027年在Fab 21二期开始生产3nm工艺芯片，该工厂将不再符合“N-2”规则，因为N3工艺在技术上仅比N2/N2P/A16工艺落后一代。尽管A16（1.6nm）工艺是带有背面供电网络的N2P（增强版2nm）工艺，但如果将A16工艺视为全新一代工艺，那么Fab 21二期将符合新的高科技出口框架。

林先生还强调，台积电的大部分研发人员仍然留在中国台湾，并指出公司的研发布局符合要求。实际上，这种工程师和科学家的集中化确保了未来的工艺开发能够扎根于中国台湾，即使公司在海外建设产能和研发中心。林先生还强调，半导体行业所有合格人员都受到监管，这使得知识产权和硬件的保护范围扩展到人力资本。

此外，中国台湾经济部门工业发展局副局长邹宇新表示，台积电未来在美国的任何投资都将根据现行法律进行审查，超过一定门槛的项目必须由中国台湾经济部门投资委员会进行审查。（校对/赵月）