近日，英特尔宣布完成全球首台用于商用芯片生产的高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）——ASML TWINSCAN EXE:5200B的安装与验收测试。

作为ASML第二代High-NA EUV系统，EXE:5200B基于2023年交付英特尔的首台研发机型EXE:5000升级而来，核心突破在于其0.55数值孔径（NA）的投影光学系统。相较当前主流的Low-NA EUV设备（分辨率约13nm），EXE:5200B可实现8nm单次曝光分辨率，彻底摆脱多重图案化（Multi-Patterning）的复杂流程。这意味着在关键层制造中，芯片图案可一次成型，大幅简化工艺、提升良率并缩短生产周期。

英特尔计划将该设备用于其14A制造工艺——这将是全球首个在核心逻辑层全面依赖High-NA EUV的量产节点。据官方披露，EXE:5200B在标准条件下产能达每小时175片晶圆，而通过系统优化，英特尔目标将其推高至200片/小时以上。更关键的是，其套刻精度（overlay）已达到惊人的0.7纳米，为亚2纳米乃至1纳米时代的晶体管微缩奠定物理基础。

这一精度的实现，源于多项底层创新：更高功率的EUV光源提升了图像对比度，有效抑制线边缘粗糙度（LER）；全新设计的晶圆传输与存储系统确保晶圆以稳定状态进入曝光腔；强化的热控机制则最大限度减少因温度波动引发的热胀冷缩误差。此外，平台整体机械与热稳定性显著增强，降低了长期运行中的性能漂移，减少频繁校准需求——这对未来多遍曝光的亚1nm工艺至关重要。

除了引进最先进光刻设备之外，过去两年，其在俄勒冈州Fab D1X工厂已利用EXE:5000完成人才培训、工艺验证与生态系统构建。如今，公司正同步推进掩模设计、蚀刻工艺、分辨率增强技术（RET）及先进计量学的协同优化，确保High-NA EUV的潜力被充分释放。

在连续多年制程落后于台积电与三星后，14A节点被视为其“王者归来”的关键一役。High-NA EUV带来的设计规则灵活性、步骤简化与良率提升，将直接转化为成本优势与客户吸引力。尤其在AI芯片需求爆发的当下，先进制程已成为争夺英伟达、AMD乃至OpenAI等大客户订单的核心筹码。

目前，ASML仅向英特尔交付了High-NA EUV设备，台积电与三星虽已下单，但量产部署预计要到2026年后。这为英特尔赢得了宝贵的时间窗口，有望在14A及18A节点上实现技术反超。