12月1日，迈为股份（300751.SZ）在投资者互动平台回答提问时表示，目前公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于DRAM（高带宽存储器HBM）工艺。公司称，相关设备能够覆盖部分先进存储制程需求，为客户在高性能存储领域的扩产与技术迭代提供装备支持。

根据公司披露，迈为股份的刻蚀和薄膜沉积设备已广泛应用于存储芯片、逻辑芯片制造等领域，在多类晶圆制造产线上实现批量导入和稳定运行。此次特别提及可服务于DRAM及HBM工艺的高选择比刻蚀和混合键合设备，进一步体现公司在半导体前道关键工艺装备上的产品覆盖能力。

高带宽存储器HBM作为面向高性能计算、AI训练等场景的关键存储产品，对工艺精度、层间互连和良率控制提出了更高要求。刻蚀与混合键合等环节设备性能，将直接影响堆叠结构的一致性与信号传输效率，相关设备进入HBM供应链，有望提升本土半导体设备厂商在存储升级周期中的参与度。

从更广业务布局看，迈为股份在半导体装备领域持续投入，在刻蚀、薄膜沉积等环节形成一定产品组合和客户基础，并通过与晶圆厂合作不断优化工艺适配性和量产稳定性。公司在互动平台强调，将继续围绕存储与逻辑芯片客户需求完善产品线布局，抓住先进制程和新型存储器发展的窗口期。

分析人士指出，国内半导体设备企业切入DRAM及HBM工艺环节，有望受益于存储技术升级与国产替代趋势，但订单释放节奏仍受下游资本开支周期、验证周期长短以及国际竞争格局等因素影响。迈为股份相关设备的后续放量情况，仍需观察客户认证进展及行业景气度变化，投资者应在关注技术突破的同时，理性评估市场与业绩的不确定性风险。

（校对/秋贤）