近日，有韩媒报道，韩国两大存储巨头——三星电子与SK海力士，已正式成为谷歌第七代张量处理单元（TPU）供应链中的核心供应商。

其中，SK海力士或成为谷歌第七代TPU内部HBM3E 8层芯片的首选供应商，并将独家为第七代改进型产品（TPU 7e）提供HBM3E 12层芯片，以显著提升能效比与数据吞吐能力。

此前，有消息称，Meta正与谷歌展开深度磋商，计划于2027年斥资数十亿美元采购谷歌自研的TPU（张量处理单元）芯片，并部署于其自有数据中心；更早从2026年起，Meta还可能先行租用谷歌云上的TPU算力资源。

据韩国投资证券分析师预测，2025年SK海力士将占据谷歌TPU中HBM供应量的56.6%，三星电子则占43.4%；而Meritz Securities更为乐观，认为SK海力士的份额或将高达60%。

长期以来，HBM市场高度依赖英伟达GPU的需求拉动。然而，随着谷歌自研TPU的快速迭代和大规模部署，这一格局正被打破。据悉，每颗TPU内部集成6至8个HBM模块，其扩展速度直接决定HBM的整体需求量。

KB证券指出，谷歌正通过TPU强化其AI生态系统，未来第八代TPU预计将采用HBM4，这将进一步推高对先进HBM的需求。在此背景下，三星电子明年的HBM供应量有望较今年翻倍以上，并带动其尖端晶圆代工厂产能利用率提升。

HBM需求的爆发不仅限于谷歌。韩国投资证券强调，Meta、亚马逊AWS等科技巨头也在加速开发定制AI芯片，这些芯片同样高度依赖HBM作为内存解决方案。多重终端需求叠加，使得HBM成为DRAM厂商技术升级与利润增长的核心引擎。

面对旺盛需求，存储原厂的战略重心正从单纯扩产转向高附加值产品的深度布局。TrendForce数据显示，2025年全球DRAM资本支出预计达537亿美元，2026年将增至613亿美元，同比增长14%；NAND Flash资本支出也将小幅增长至222亿美元。

然而，当前行业无尘室空间已接近物理瓶颈，除三星与SK海力士尚有有限扩线能力外，其他厂商难以快速提升产能。这意味着即便资本开支增加，2026年实际新增产能仍将受限。

供需失衡正推动存储价格持续上行。中泰证券判断，受AI推理需求爆发驱动，2026年全年存储市场将处于“供需偏紧”状态。事实上，自2025年第三季度起，不仅主流DRAM与NAND价格上涨，利基型存储如SLC/MLC NAND、NOR Flash等也已全面进入涨价通道。

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