AI数据中心建设潮不仅推升存储需求，也改变技术发展方向。法人指出，过去存储产业主要依靠制程微缩提升容量与降低成本，但进入AI时代后，先进封装的重要性已超越制程节点，成为决定竞争力与供给能力的关键因素。

在DRAM领域，三大原厂2026年将全面导入1c制程，后续朝1d与10a制程迈进。10a代表存储制程正式进入10nm以下时代，将采用VCT垂直通道电晶体与新型材料设计。

以更长期来看，业界预期2029年至2030年间将进入3D DRAM时代。

HBM则持续朝更高堆叠与更高频宽发展。2026年HBM4将由12层升级至16层堆叠，HBM4E全面导入Hybrid Bonding技术。

三星已于COMPUTEX 2026展示HBM5原型产品，规划2028年量产，堆叠层数可达20层，并加入HPB热管理技术，以改善散热问题。

NAND方面，三星V10 NAND将突破430层，并导入Wafer-to-Wafer混合键合技术；铠侠则推动CBA架构，以Hybrid Bonding提升储存密度与传输效率。

此外，SK海力士推出AIN系列产品，其中，AIN B采用类似HBM的HBF（High Bandwidth Flash）架构，透过TSV技术堆叠16层NAND，容量最高可达4TB。

市场近期关注NVIDIA Rubin平台SOCAMM容量，由原规划1536GB降至768GB的问题。法人认为，此举并非AI需求转弱，而是LPDDR5X供应不足下的权衡措施。

供应链调查显示，Rubin CPU整体市场规模并未改变，反而有机会优于市场预期。

法人认为，未来不论HBM、SOCAMM、HBF或3D NAND，皆高度依赖先进封装技术。由于先进封装产能扩充速度远低于传统晶圆制造，将使存储供给长期受限，形成有利于价格与获利维持高档的产业环境。