阈值电压VGS(th)的常见误读：刚开启并不等于正常工作？
阈值电压是MOSFET刚刚开启的临界电压，并非正常工作的条件。规格书中导通电阻所标注的栅极电压，才是你应该提供的驱动电压。当栅极电压仅比阈值电压高1到2伏时，导通电阻可能恶化33%甚至数倍。高压MOSFET必须使用10V驱动，不能省略驱动电路。在低压逻辑驱动的场合，应选择规格书中明确给出4.5V下导通电阻数据的型号。不要因为节省几毛钱的驱动电路，而导致整个方案的可靠性下降。
广东合科泰实业有限公司
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SiC MOS管直接替换硅MOS，为什么一上电就发烫？
很多人以为碳化硅MOS管和硅MOS管差不多，毕竟结构一样，好像只是“材料升级”了。觉得只要把硅MOS管直接替换成碳化硅MOS就行，电路哪怕原封不动性能也能提升，结果一上电发现器件比原来还烫。实际上，碳化硅MOS管对驱动电压的要求完全不同，如果用硅MOS管的逻辑去驱动，很可能反而导致效率变差了，甚至到损伤器件的程度。这不是碳化硅的问题，是没给它配对驱动电压。 -
消费电子领域替换：为什么说碳化硅替换硅器件正当时？
碳化硅替换传统硅基功率器件，已经不是一种趋势，而是正在发生的事实。碳化硅不仅在汽车驱动、光伏储能等高压要求领域应用，还有充电桩、PD快充适配器也已经渗透很多，超出了预期。合科泰不仅深耕功率器件多年，还重点主推碳化硅产品线，由此通过碳化硅材料的六大优势和应用系统成本，说明为什么现在是碳化硅替换硅器件的重要时期。 -
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连续大电流应用中TOLL4封装MOSFET的选型，多数人栽在功率额定值上
在MOSFET选型时，不少工程师只看电流和电压参数就决定下单，结果产品在实际运行中要么触发过热保护，要么直接炸机。导致过热和炸机的一个重要原因，往往出在功率额定值（PD）这个参数上。因此，理解PD值的真实含义，是避免选型失误的关键第一步。 -
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