关键词: 存储芯片 HBM DRAM NAND AI算力供应链
AI已经把存储芯片从“价格竞争”推向“产能与技术竞争”,未来真正决定产业地位的,不再是市占率,而是谁能掌握HBM、高端DRAM与企业级SSD等关键存储供应,谁就能取得 AI 产业链最上游的定价权与主导权。
2026年才过一半,存储芯片产业的变化幅度已经超越过去五年总和。三星电子、SK海力士与美光科技三家公司相继站上万亿美元市值门槛,是半导体业界前所未见的纪录。长期被视为“景气循环股”代名词、利润微薄的存储芯片,如今摇身一变,成为整个AI基础建设竞赛中最抢手的战略物资。
这场变局的核心,并非单纯的价格竞争,而是一场围绕AI服务器需求、高频宽存储 (HBM)产能分配、DDR5时代转换,以及企业级SSD需求重新洗牌所引发的结构性战争。
根据市调机构CFM闪存市场统计,2026年第一季全球DRAM与NAND闪存市场总规模达1371.4亿美元,较上季暴增81.6%,年增率更高达245%,写下历史单季新高纪录。
分析人士指出,这样的增长并非渐进式扩张,而是供需严重错配下的断层式爆发,原厂的议价能力在短短两季内被彻底翻转。
DRAM排名:三星稳坐龙头,长鑫握势崛起
在DRAM领域,三星电子以382亿美元营收、40.5%市占率稳居榜首,季增幅高达98.4%;SK海力士以279亿美元居次,市占率 9.6%;美光科技187亿美元排名第三,市占19.9%。
值得注意的是,中国大陆厂商长鑫科技以73亿美元营收、7.7%市占率挤入第四名,季增幅115.1%为四家之最。
业界观察指出,三星的优势并非来自炒作性涨价,而是凭借手机、PC、服务器与终端业务全面覆盖的产能规模,使其在景气下行时仍能靠内部订单消化风险,这是SK海力士与美光目前都不具备的避险能力。
相比之下,SK海力士虽然稳居HBM龙头,但也因此牺牲了传统DRAM业务的扩张速度,导致其整体营收增长幅度在四大厂中敬陪末座。
真正令市场意外的,是长鑫科技的快速窜升,其全球市占率从2025年首季的3%,一举跃升至今年同期的7.7%至8%,超越南亚科,跻身全球第四大DRAM原厂。
这家中国大陆唯一具备DRAM研发、设计、制造一体化能力的IDM厂商,目前在合肥、北京拥有三座12英寸晶圆厂,并与阿里云、字节跳动、腾讯控股、联想控股、小米等指标客户深度绑定。
分析认为,这波增长并非低价抢单所致,而是三星、SK海力士、美光将主力产能全面转向HBM与高端服务器存储后,成熟制程与消费级DRAM出现的市场真空,恰好被长鑫科技精准补位。
分析指出,这也带出一个值得供应链决策者深思的现象。当三大厂将最先进产能全押注在HBM军备竞赛时,DDR3、DDR4、LPDDR,以及车用、工规等“非主流”品类,反而成为稀缺资源,让长鑫科技、南亚科、华邦电等厂商无需与三巨头正面对决,便找到了新的生存空间与议价筹码。
HBM缺口难解 三星、美光急起直追
HBM是这波存储超级循环中溢价最夸张的品类,也是英伟达、AMD等AI芯片厂最头痛的瓶颈环节。
目前SK海力士仍以 58% 市占率稳居龙头,但较去年同期的69%明显回落;三星电子以21%市占紧追在后,并已首度开始向英伟达供应 HBM4;美光同样拿下21%市占,正寻求技术突破。
三星已交付首批HBM4E样品,预计今年下半年正式对英伟达大量出货,这将是打破SK海力士长期垄断格局的关键变数。
不过供应紧张的情况短期内恐难纾解。根据业界交流资讯,目前HBM市场满足率仅约三成,配套的堆叠型DRAM缺口庞大。
尽管三星与SK海力士的五年扩产计划聚焦DRAM,SK海力士月产能规划自60万片扩增至120万片,三星则从70万片增至 140万片,但业界估算存储位元年需求增长率已超过20%,五年产能翻倍的步调仍显保守,难以完全弥平供需落差。
换言之,这波短缺并非增加几条产线就能在一两年内解决的问题。
NAND战场更分散 铠侠、SanDisk成最大黑马
相比于DRAM的四强格局,NAND市场的竞争态势更为分散。三星以29%至31.6%市占继续领先,SK海力士18%居次,铠侠14% 第三,美光、SanDisk与长江存储则各约13%,呈现三强鼎立。
其中,长江存储的市占率从2025年首季的8%攀升至13%,增长幅度居所有NAND厂商之冠,直接受惠于这波供需紧张带动的涨价潮。
而这轮循环中估值重估最猛烈的,则是铠侠与SanDisk两家公司。
SanDisk自2025年2月从西部数据分拆独立上市后,摆脱了机械硬盘业务长期拖累股价的包袱,今年第一季数据中心营收年增超过六倍,企业级SSD一跃成为增长最快的业务线。
市调机构Counterpoint Research统计显示,2026年第一季全球NAND市场营收达460亿美元,年增3.5倍,已超越2023年全年总和,其中企业级SSD占比高达43%。
价格狂飙 存储芯片变战略资源
比起市占率数字,价格走势或许更能说明这波循环的疯狂程度。
DDR5 16Gb现货价格从2025年5月约5.5美元的低点,飙升至2026年5月的40美元以上,涨幅超过七倍;1TB消费级SSD价格则从约45美元翻倍至近90美元。
2026年第一季,DRAM合约价季增90%至95%,NAND合约价季增55%至90%。
TrendForce预测,2026年第二季度DRAM合约价将续涨58%至63%,NAND涨幅则达70%至75%,部分DRAM产品自2023年低点以来累计涨幅已超过九倍,NAND涨幅甚至更高。
研究机构Gartner的预测更为激进,估计2026全年NAND均价涨幅可能达234%。
需求端方面,AI数据中心对高容量PCIe 5.0企业级SSD的需求呈爆炸性增长,数据中心应用预估将占全球NAND消耗量的60%到70%。
Meta、微软 、Google等超大规模云端业者已通过长约与预付款方式,提前锁定2026年绝大部分可用产能,部分合约甚至延伸至2029年。
供给端则面临结构性瓶颈,需求年增率达20%至22%,产能扩张却仅有15%至17%,缺口在结构上难以填补,新产能大规模释出普遍要延后至2027、2028年之后才能实现。
铠侠已公开表示2026全年产能已基本售罄,西部数据情况类似,代表即使企业现在下单,恐怕也要排队等到明后年才能拿到货。
换句话说,存储芯片正从“随买随有”的标准零组件,转变为必须提前一到三年锁定产能的战略资源。
谁是真正的赢家?
跳脱市占率数字,业界观察指出一个常被忽略的视角,即这波循环真正的赢家,未必是市占率最高的厂商,而是产品结构最能穿越景气循环的厂商。
三星虽规模最大,但家电、手机、半导体业务混杂一体,导致优质存储业务的利润被低毛利板块稀释,这也是三星整体毛利率长期低于SK海力士与美光、估值也偏低的主因,因为规模最大,不等于获利能力最强。
SK海力士全力押注HBM,短期营收增长虽被三星、美光超车,但一旦HBM4大规模放量,其获利能力优势可望重新展现,这是一场“是否该牺牲短期市占换取长期定价权”的豪赌。
至于铠侠与SanDisk,虽然享受NAND景气循环的极致红利,但历史经验显示,超级循环的高点往往也是风险积聚的时刻,一旦需求增长放缓或产能恢复讯号浮现,这两家弹性最大的公司,回档幅度恐怕也最剧烈。
对终端客户与供应链管理者而言,这场变局带来的现实衝击是,采购存储芯片已不再是单纯比价的问题,而必须判断芯片来自哪个技术节点、产品生命週期处于哪个阶段,以及自己的订单在供应商产能优先顺序中排在第几位。
分析指出,对经销商与生态系合作伙伴来说,单纯“搬箱子”式的交易撮合价值正急速萎缩,真正稀缺的能力,变成市场情报判读、供应保障、多供应商资质认证,以及协助客户规划跨越两三年周期的产能布局。
这场存储芯片市占争夺战的本质,从来不是谁的市占数字更漂亮,而是谁能定义下一代运算的成本结构。而这,才是掌握整条AI产业链最上游议价权的关键。这局牌,似乎才刚打到中局。
来源:爱集微