存储器市场近期笼罩在“英伟达Vera Rubin伺服器机柜存储器模组用量减半”的负面传闻中，惟英伟达执行长黄仁勋出面辟谣，直言“看不到存储器短缺结束尽头”，并宣布要采购更多SK海力士的存储器，双方也将携手开发下世代存储器技术。

法人指出，黄仁勋相关谈话，粉碎英伟达存储器用量锐减传闻，为南亚科（2408）、华邦（2344）等存储器厂后市吞下定心丸。而英伟达要采购更多SK海力士高频宽存储器（HBM）并携手冲刺下世代技术，台厂中，台积电转投资创意（3443）配合SK海力士持续布局HBM4相关搭配ASIC端IP，将成为大赢家。

黄仁勋指出，目前AI产业需求远超过供给，供应链从晶圆制造、先进封装到矽光子技术皆处于供不应求态势，需求量大到难以满足，研判这种情况将延续多年，加上AI基础建设仍处于快速扩张阶段，全球数据中心投资热度并未出现降温迹象。

谈到“英伟达Vera Rubin伺服器机柜存储器模组用量减半”传闻，黄仁勋更是予以驳斥，强调“看不到存储器短缺结束尽头”。

黄仁勋表示，英伟达每年已向SK海力士采购价值数十亿美元存储器，今年采购规模还将大幅增加。

英伟达并宣布，与SK海力士多年期技术合作协议，将共同推进全球AI数据中心所需的下一代存储器方案。

他强调，SK海力士将继续是英伟达最大的合作伙伴，双方已锁定长期协议，合作范围也由AI超级电脑扩展至CPU、PC与机器人领域。

英伟达扩大采购SK海力士存储器并携手开发下世代存储器技术，创意（3443）受惠大。创意持续布局HBM4相关搭配ASIC端IP，市场预期，只要英伟达等积极导入搭配HBM4与后续产品，应会带动云端大咖的自研芯片逐步跟进，创意抢先布局相关IP，有利争取更多案件。

创意已在去年第1季完成3纳米HBM4 12G PHY与控制芯片IP的设计定案，并支援台积电CoWoS先进封装技术，并于今年首季完成矽验证，其2纳米HBM4E 16G IP也正开发中，预计今年上半年完成设计定案。创意先前布局ASIC端应用HBM3相关IP，获多家客户采用，HBM4领域也不缺席。