2026年开年以来，功率半导体行业的涨价节奏比预期更快，不是一轮，是两轮。而且第二轮来得比第一轮还猛。5月26日，英飞凌通知7月1日第二轮提价；5月28日，意法半导体通知6月28日第二轮提价；德州仪器7月1日同样启动第二轮。国内各大中小厂商同步跟涨。三轮涨价之间间隔不到两个月。

这不是短期补库存，而是供需两端的结构性挤压：AI数据中心对功率器件需求爆发，8英寸成熟制程产能持续收缩，铜价年内涨至每吨14097美元，晶圆代工涨5-20%，封测最高涨30%。机构判断涨价趋势至少延续至2026年下半年。对做电源、BMS、充电器的工程师和采购来说，关键问题不是"会不会涨"，而是"涨了之后用什么替代、怎么快速切换"。

本轮涨价全景

分品类涨幅与紧缺度

数据来源：东方财富-全球功率器件供需失衡

要替代3个参数必须对上

找替代料号不是看个封装和耐压就行。以下3个参数对不上，替代方案就是定时炸弹：

① VDS（漏源耐压） ：替代料的VDS必须≥原型号。30V的管位换60V的可以，换20V的不行。高压场景建议留20%以上余量，关断尖峰可能超出预期。

② RDS(ON)（导通电阻） ：替代料最好≤原型号，至少不能差太多。注意规格书标注的RDS(ON)是25℃结温下的值，实际结温100℃时会涨1.4-1.5倍。选型时要用高温RDS(ON)来算功耗。

③ 封装兼容性：同封装直接替换最省事。TO-252换TO-252、SOT-23换SOT-23，PCB不用改。不同封装替换需要评估焊盘和散热路径。

高频开关电源场景还需要对比Qg、Crss等动态参数，影响开关损耗和EMI表现。

按品类查替代料号

中低压MOSFET（≤100V）

本轮涨价最先告急的品类，8英寸晶圆消耗最大。

"同型号直接对应"指合科泰生产同型号产品，参数一致可直接替换。其他替代料号建议上机验证后再批量导入。

双芯MOSFET

充电宝、PD快充等场景需求激增，双芯管因省位号、省BOM行而受关注。

高压MOSFET（≥500V）

高压MOS涨价节奏略慢于中低压，但AI服务器电源需求拉动明显。

高压MOS的VGS(th)最高可达4V，驱动电压必须给10V。

SiC肖特基二极管

进口SiC交期拉长24-52周，国产SiC二极管参数已覆盖大部分PFC应用。

SiC肖特基零反向恢复电荷，PFC电路替换硅快恢复二极管可降低开关损耗70%以上。

整流桥

速查表：按应用场景推荐

需要样品测试或选型表，可联系合科泰获取。