一、品牌实力：杰盛微，国产功率器件标杆企业

深圳市杰盛微半导体有限公司（JSMSEMI）是国内专注于功率 MOSFET、电源管理芯片、功率分立器件研发、设计与生产的高新技术企业。公司自成立以来，始终坚持 “高品质、高可靠、高性价比” 的核心发展理念，聚焦电力电子、工业控制、新能源、消费电子等核心领域，构建了从芯片设计、晶圆制造到封装测试的全链条自主可控体系。 凭借深厚的技术积累、严苛的品质管控与完善的本地化服务，杰盛微的产品已通过众多头部电源厂商的批量验证与认可，广泛应用于高频开关电源、有源功率因数校正、光伏储能、电机驱动等场景。在国产化替代的大趋势下，杰盛微持续突破技术瓶颈，不断推出对标国际品牌、性能优异的功率器件，助力国内企业降低采购成本、稳定供货周期、规避断供风险，成为国产功率半导体领域的中坚力量。

二、产品概述：JSM18N50C，中高压高频应用 “全能选手”

JSM18N50C 是杰盛微针对500V 中高压、高频开关场景精心研发的 N 沟道功率 MOSFET，采用行业通用的 TO-220 封装，兼具高耐压、大电流、低导通损耗、快开关速度等多重优势，完美适配高频开关模式电源、有源功率因数校正电路等核心应用，是中高压高频功率转换场景的优选器件。

（一）核心参数，硬核实力

JSM18N50C 的核心电气参数处于行业领先水平，关键参数如下：

• 器件类型：N 沟道 MOSFET

• 漏源电压（VDS）：500V

• 连续漏极电流（ID，TC=25℃）：18.0A

• 连续漏极电流（ID，TC=100℃）：11.0A

• 脉冲漏极电流（IDM）：72A

• 栅源电压（VGS）：±30V

• 导通电阻（RDS (on)）：典型 0.25Ω，最大 0.32Ω（VGS=10V、ID=9.0A）

• 工作结温（Tj）：150℃

• 封装形式：TO-220

（二）引脚定义，清晰易用

JSM18N50C 采用标准 TO-220 封装，引脚定义简单直观，适配常规电路设计，无需复杂调整即可快速上手：

1. 引脚 1（G）：栅极，用于控制 MOSFET 的导通与关断；

2. 引脚 2（D）：漏极，功率电流输入端；

3. 引脚 3（S）：源极，功率电流输出端。

三、核心特性：四大优势，赋能高效稳定应用

（一）低导通损耗，降低能耗

导通电阻（RDS (on)）是衡量 MOSFET 导通损耗的核心指标，损耗越低，设备发热越少、能量转换效率越高。JSM18N50C 在 VGS=10V、ID=9.0A 的测试条件下，RDS (on) 典型值仅 0.25Ω，最大值不超过 0.32Ω。低导通电阻可大幅降低器件导通时的功率损耗，减少电路发热，提升设备整体能效，尤其适合长时间高负载运行的应用场景。

（二）优异高频性能，适配高速开关

针对高频应用场景，JSM18N50C 在设计上重点优化动态参数，具备低栅极电荷、低反向传输电容、快开关速度、强 dv/dt 能力四大高频优势：

• 低栅极电荷（Qg）：总栅极电荷典型值 45nC，栅源电荷 12.5nC，栅漏电荷 19nC，驱动功耗低，开关响应快；

• 低反向传输电容（Crss）：典型值仅 25pF，有效减少米勒效应，降低开关损耗，提升高频稳定性；

• 快开关速度：开通延迟时间 65ns、上升时间 165ns，关断延迟时间 95ns、下降时间 90ns，适配高频开关场景；

• 强 dv/dt 能力：峰值二极管恢复 dv/dt 达 4.5V/ns，抗干扰能力强，高频下不易出现误导通、震荡等问题。

（三）高可靠性设计，长期稳定运行

JSM18N50C 经过100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 945mJ，雪崩电流 18.0A，重复雪崩能量 23.5mJ，具备优异的抗冲击能力，可承受电路中的突发电压、电流冲击。同时，器件工作结温范围 - 55℃至 + 150℃，适配严苛的温度环境，高温下仍能保持稳定性能，大幅延长设备使用寿命。

（四）热性能优异，散热高效

JSM18N50C 具备良好的热传导性能，结壳热阻（RθJC）仅 2.08℃/W，结环境热阻（RθJA）62.5℃/W。优异的热性能可快速将器件工作时产生的热量传导至散热片，降低结温，避免因过热导致器件性能下降或损坏，保障设备在高负载、长时间运行下的稳定性。

四、电气特性详解：严苛测试，性能稳定

（一）关断特性

• 漏源击穿电压（BVDS S）：500V（VGS=0V、ID=250μA），确保器件在额定电压下稳定关断，不易击穿；

• 零栅压漏电流（IDSS）：VDS=500V、VGS=0V 时≤1μA，VDS=400V、TC=125℃时≤10μA，关断状态下漏电流极小，静态损耗低。

（二）导通特性

• 栅极阈值电压（VGS (th)）：2.0V-4.0V（VDS=VGS、ID=250μA），阈值电压适中，驱动简单，适配常规驱动电路。

（三）漏源二极管特性

JSM18N50C 集成漏源二极管，具备优异的反向恢复性能：

• 连续正向电流（IS）：18.0A，脉冲正向电流（ISM）：72A；

• 正向压降（VSD）：≤1.4V（VGS=0V、IS=18.0A）；

• 反向恢复时间（trr）：500ns，反向恢复电荷（Qrr）：5.4μC，反向恢复速度快，损耗低。

五、应用场景：精准适配，覆盖多元需求

凭借 500V 高耐压、18A 大电流、低导通损耗、优异高频性能等优势，JSM18N50C 可广泛应用于以下场景：

（一）高频开关模式电源

包括工业电源、通信电源、适配器、充电器等，高频性能适配高频开关设计，低损耗提升电源转换效率，减少发热。

（二）有源功率因数校正（PFC）电路

在 PFC 电路中，JSM18N50C 可实现高效功率因数校正，降低谐波污染，提升电网利用率，适配中高压 PFC 电源场景。

（三）其他中高压高频应用

如光伏逆变器、工业电机驱动、高压 LED 驱动、新能源充电设备等，满足中高压、大电流、高频开关的应用需求。

六、封装与尺寸：标准封装，适配量产

JSM18N50C 采用TO-220 标准封装，尺寸单位为 mm，关键尺寸如下：W1=2.54（典型）、W2=0.70-0.95、L1=6.40-6.80、整体长度 12.70mm。标准封装适配常规生产设备与焊接工艺，兼容性强，可直接替代同封装的进口或国产 MOSFET，无需改板，降低设计与生产成本，适配批量生产需求。

七、品质保障：严苛管控，值得信赖

杰盛微始终将品质放在首位，JSM18N50C 从芯片设计、晶圆制造到封装测试，全流程采用自主研发技术与严苛的质量管控体系。产品经过高温老化、静电冲击、机械应力测试、雪崩测试等多项可靠性测试，确保批量生产的一致性与稳定性。同时，杰盛微提供完善的技术支持与售后服务，快速响应客户需求，助力客户快速完成产品设计与量产，解决后顾之忧。

八、国产替代新选择，携手共赢未来

在全球半导体供应链重构、国产化替代加速的背景下，杰盛微 JSM18N50C 以500V 高耐压、18A 大电流、低导通损耗、优异高频性能、高可靠性、标准封装等核心优势，完美对标同类型进口 MOSFET，同时依托国产供应链优势，实现交期更稳、成本更优、服务更快。 无论是高频开关电源、有源功率因数校正电路，还是光伏逆变器、工业电机驱动等场景，JSM18N50C 都是兼具性能与性价比的理想选择。未来，杰盛微将继续深耕功率半导体领域，持续技术创新，推出更多高性能、高可靠的功率器件，为国产半导体产业发展贡献力量，与广大客户携手共赢，共创美好未来！