关键词: HKTS190N03 MOS管 12V/24V电源系统 BMS系统
在如BMS、电机控制、负载开关的12V/24V电源系统中,高电流容量、低损耗与可靠性是核心需求,合科泰新推出的HKTS190N03与HKTS190N04的TOLL4封装MOS管,正是针对这类场景的高性能解决方案。两款产品均采用TOLL4-6R封装,连续漏极电流达190A,覆盖30V/20V电压等级,通过工艺与参数的差异化设计,满足不同应用的电路需求。
HKTS190N03与HKTS190N04的核心差异在于工艺。HKTS190N03采用先进沟槽技术,平衡了性能与成本,低栅极电荷特性简化驱动电路设计,优秀的Cdv/dt抑制能力可减少开关过程中的噪声,提升系统稳定性;HKTS190N04采用分离栅沟槽技术,进一步优化导通损耗与开关速度,其导通电阻低至1.85mΩ(HKTS190N03为2.3mΩ),栅极电荷特性更优,意味着在相同电流下,功率损耗更小,效率更高。
两款MOS管的价值,需结合具体电路场景理解:
1.BMS系统:大电流下的低损耗与安全保护
在BMS中,MOS管的核心作用是主回路开关与预充电控制:
主回路开关:MOS管作为电池组与负载之间的总开关,190A的连续电流容量可应对如电动汽车加速、储能系统放电的12V/24V系统的峰值电流;HKTS190N04的1.85mΩ低导通电阻特性确保大电流下的功率损耗最小化,以190A电流计算,HKTS190N04的导通损耗仅约0.067W,远低于传统MOS管,直接提升系统效率。
预充电控制:系统上电时,电容会产生可能达数百安的冲击电流,MOS管配合预充电电阻使用,通过快速开关特性限制电流峰值,MOS管逐步导通的过程中,冲击电流被控制在安全范围,避免损坏电容或电池,同时预充电时间缩短至毫秒级,提升系统启动效率。
2.电机控制:高频PWM下的高效与稳定
在如工业伺服、电动工具的12V/24V电机控制系统中,MOS管用于三相桥臂拓扑与续流回路:
三相桥臂设计:HKTS190N04的分离栅技术带来更快的开关速度,适合高频PWM控制,当PWM信号切换时,MOS管快速导通、关断,改变电机绕组的电流方向与占空比,实现转速调节;更快的开关速度可降低开关损耗,尤其在高频场景下,损耗减少幅度可达20%以上,直接提升电机效率。
续流回路:电机绕组是感性负载,当MOS管关断时,电感可能会产生远超电源电压的反向电动势,此时MOS管内置的体二极管导通,将反向电流导回电源或电容,避免击穿MOS管,这种设计简化了电路,同时比比TO-252提升30%散热的TOLL4封装,能够确保体二极管长期工作的可靠性。
3.负载开关:精准控制与低功耗的平衡
在如通信设备、工业电源的多负载系统中,MOS管用于电源分配与热插拔控制:
电源分配:MOS管作为子系统的电源开关,低导通电阻特性减少静态功耗,对于如便携式仪器电池供电的设备,静态功耗每降低1mW,续航时间可延长约10分钟;190A的电流容量足以驱动大功率负载。
热插拔控制:当模块插入系统时,MOS管通过渐变导通限制冲击电流,避免系统电压波动;HKTS190N04的快速开关特性确保热插拔过程在数百毫秒内完成,既保护模块,又不影响系统运行。
两款产品均采用TOLL4-6R封装,与传统TO-252封装引脚完全兼容,设计工程师无需修改PCB布局,即可将旧方案升级为更高性能的TOLL4版本;同时,TOLL4封装的更大散热pad,与优化引脚布局,进一步提升了高功率应用的可靠性。
此外,两款MOS管均满足-40℃至150℃的结温范围,通过RoHS环保认证,且经过100%包括电参数、温度循环、湿度测试的出厂测试,确保批量一致性。
HKTS190N03:适合成本敏感、中等频率的应用,如12VBMS主回路、低功率电机控制,其优秀的Cdv/dt抑制能力可减少开关噪声,是性能与成本平衡的理想选择;
HKTS190N04:适合高频PWM、高功率的场景,其1.85mΩ的超低导通电阻与分离栅技术,能带来更优的效率与稳定性,是追求极致性能的首选。
合科泰HKTS190N03与HKTS190N04的TOLL4封装MOS管,通过工艺优化与参数差异化,为12V/24V高电流系统提供了从原理到应用的完整解决方案。无论是BMS的低损耗需求、电机控制的高频效率,还是负载开关的精准控制,两款产品都能匹配场景需求,为设计工程师提供可靠、高效的选择。
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