内存大厂华邦电总经理陈沛铭主持法说会，针对内存市场，提出最新的说明。他说，当前内存市场正在经历一场结构性且重大的变革。主因DRAM的技术标准与先进制程的冲突。他强调，一旦制程推进至DDR5 DRAM，就不可能回去生产DDR4或DDR3产品，从供需结构，DDR5和DDR4或DDR3缺货潮，恐怕到2027年都不会改变。

陈沛铭表示，受惠于终端需求复苏、新制程推进，以及内存市场因技术迭代带来的结构性供需失衡，华邦电DRAM（CMS）业务创下过去三年的新高点。公司对第四季及未来长期的增长前景表示乐观，预期营收、出货量和平均销售价格（ASP）都将迎来更大幅度的增长，并回到正常的增长轨道。

陈沛铭说，华邦电子第三季在DRAM和Flash业务上，较第二季表现均有所增长。其中，DRAM业务较第加达18%，较2024年同期增长更高达33%，这已是DRAM业务在过去三年中的最高点。尽管年增率来看，DRAM的ASP仍有约十几个百分点的跌幅，但公司先前预告，DRAM业务的最低点已经过去，目前正持续往上走。制程推进方面，20nm制程已成为主要的增长动能，出货量占总交货量的比例已达37%。20nm产品线中，DDR4表现尤其亮眼，上季出货量季增一倍，本季占比将持续提高。20nm是华邦首度跨入DDR4领域的制程，表现不俗。

陈沛铭强调，当前内存市场正在经历一场结构性且重大的变革。主要的结构性问题在于DRAM的技术标准与先进制程的冲突。传统的DDR3和DDR4标准在制定时，并未要求内置ECC（纠错码）功能。然而，当全球前三大DRAM供应商将制程推进到14nm、13nm甚至更精密的制程时，极小的比特单元容易产生坏轨（bad bits），必须依靠ECC来补偿。

他强调，由于JEDEC标准不支持DDR3/DDR4在这些先进制程上使用ECC，可预见三大厂的新工厂和先进制程无法再回头生产DDR3或DDR4。为满足HBM（高带宽内存）需求并充分利用新制程，这些大厂被迫转向生产支持ECC的DDR5。这导致DDR4供应出现结构性缺口。

至于当前DDR5价格相对较低，一定会有一股力量要推动转换规格，但许多应用如旧有服务器、PC或锁定特定SoC规格的设备，仍需要持续供应DDR4。因此，许多客户正积极寻求与能持续供货DDR4的厂商签订数年期的长期合约。华邦电认为，DDR4价格将持续上涨，这场结构性改变将持续一段时间，甚至可能延续到2027年。

华邦电公布2025年第三季财报，单营收217.71亿元新台币，季增3.6%、年增2.15%；毛利率46.7%，季增24.03个百分点、年增17.38个百分点，单季纯益29.39亿元新台币，终结连四季亏损，每股纯0.65元新台币，并一举将上半年每股亏损0.53元新台币全数弥补转盈。