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产品简介

型号NTR1P02 的MOS管，采用小型化SOT-23封装工艺，是一款高性能P沟道MOSFET。其核心参数包括最大耐受电压VDSS高达20V，具备2.3A的强劲连续漏极电流能力，且在工作状态下，导通电阻低至120mR（RD(on)），确保了器件运行过程中的高效率和低能耗。适用于各类电源转换、负载开关等应用场景，是您的电路设计中理想的开关元件选择。