特斯拉（Tesla）与 SpaceX 共同推动的半导体制造计划 Terafab，传出已向设备供应商提出 2032 年起每月生产 100 万片晶圆的目标，其中 70 万片用于存储芯片芯片、30 万片用于逻辑芯片。若顺利实现，存储芯片产能规模将接近三星电子目前整体 DRAM 月产能。

科技媒体Wccftech引述日经报道指出，Terafab已向半导体设备供应商透露上述规划。

在技术合作方面，据日经报道，英特尔（Intel Corp.）将协助Terafab生产逻辑芯片，双方正朝采用英特尔2纳米及1.4纳米工艺技术的方向协调。知情人士透露，存储芯片制造方面，也浮现由中国台湾企业提供技术合作的构想，但尚未确认合作对象及具体安排。

Wccftech指出，三星目前DRAM月产能约65万至70万片，意味Terafab设定的存储芯片产能目标，已相当于全球存储芯片大厂现有的生产规模。不过，Terafab仍处于早期发展阶段，能否在2032年达标仍有待观察。

Terafab规划在美国德州格莱姆斯郡（Grimes County）投资168亿美元兴建半导体园区，整合光罩制作、微影、先进晶粒封装及测试等工艺，目标将芯片设计迭代时间从目前6至9个月缩短至数周，并支持特斯拉Optimus人形机器人及SpaceX太空数据中心需求。

马斯克（Elon Musk）才刚在11月6日Baron投资年会上表示，Terafab投资规模可能高达1万亿美元。这项投资将分阶段进行，并希望通过整合芯片制造流程，将原本需要一年的芯片开发与测试周期缩短至一个月。

据24/7 Wall St.、Benzinga报道，投资人Ron Baron在会中提出Terafab可能耗资1万亿美元，马斯克回应，随着时间推进，总成本确实可能达到这个规模，但不会一次投入全部资金。

马斯克也担忧，全球芯片产能高度集中亚洲，存本地缘政治风险。即使将所有已宣布的美国晶圆厂计划纳入估算，美国产能仍仅约亚洲的十分之一。

马斯克并表示，Terafab的目标是每年生产总算力功耗达1太瓦（TW）的AI芯片，并形容这是一个“大得惊人”（terrifyingly large）的目标。他估计，2026年全球AI芯片产出规模约为20~25吉瓦（GW），2027年则约为35~45吉瓦。他指出，1太瓦约相当于2027年全球产量的30倍。不过，根据他自己提出的预估区间计算，实际倍数约为22~29倍，因此30倍只是概略数字。

Terafab目前尚未生产芯片，马斯克预计2027年5至6月完成首颗SRAM测试芯片，并以2028年第3季启动量产为目标，但坦言时程相当积极。