导语

金秋十月，水木清华。2026年10月24日至25日，备受瞩目的“2026年清华大学质量与可靠性年会暨质量强国清华论坛”在清华大学李兆基科技大楼隆重举行。在这场汇聚了国内外院士专家、行业领军人物及顶尖学术力量的年度盛会上，深圳争妍微电子凭借其卓越的质量管理体系与硬核的技术创新实力，经过组委会的严格评审与激烈角逐，从众多参评企业中脱颖而出，成功斩获“2026年质量与可靠性提升清华案例奖”。这一殊荣不仅是对争妍微电子长期坚守质量生命线的最高褒奖，更是其在质量品牌建设道路上的一座重要里程碑。

群英荟萃，共襄质量强国盛举

本届论坛由清华大学质量与可靠性研究院、清华大学工业工程系及复杂系统国家质量标准实验室（培育）共同主办。作为国内质量与可靠性领域最具影响力的学术与产业交流平台，本次大会邀请了郭位院士、王自力院士、谢旻院士、Enrico Zio院士等国内外权威专家，以及来自华为、京东方、中国南方电网等头部企业的业界领袖。大会聚焦“质量强国战略落地”，深入探讨了AI赋能可靠性系统工程、复杂系统智能运维、全生命周期质量管理等前沿课题。

在这样“强手如林”、竞争异常激烈的背景下，深圳争妍微电子能够获得参会资格并最终摘得“质量与可靠性提升清华案例奖”，其含金量不言而喻。该奖项旨在表彰在质量管理创新、可靠性技术突破及产业应用方面取得显著成效的标杆企业，评审标准极为严苛，涵盖了技术创新性、质量体系完善度、实际应用效益等多个维度。

技术为核，双奖辉映奏响凯歌

争妍微电子此次获奖，并非偶然。作为专注于第三代半导体功率器件研发与制造的高新技术企业，公司始终将“技术先进”与“质量可靠”作为企业发展的双轮驱动。此次荣获清华案例奖，与公司此前在国际专利博览会斩获的氮化镓（GaN）方向铜奖，以及在全国专利展览会上获得的碳化硅（SiC）方向铜奖遥相呼应，共同构成了争妍微电子在第三代半导体领域“技术+质量”双丰收的壮丽图景。

• 技术先进性：氮化镓与碳化硅作为第三代半导体的核心材料，对制造工艺与器件可靠性要求极高。争妍微电子在两大前沿方向接连获得国家级、国际级专利奖项，充分证明了其在器件结构设计、材料应用及工艺制程上的深厚技术积淀。

• 质量可靠性：在功率半导体领域，产品的可靠性直接决定了新能源汽车、光伏储能、工业电源等下游应用的安全与寿命。争妍微电子将可靠性设计融入产品全生命周期，从晶圆制造到封装测试，建立了严苛的质量管控体系。此次获得清华质量论坛的认可，标志着其质量管理水平已跻身行业前列，得到了学术界与工业界的双重背书。

里程碑时刻，开启品牌建设新篇章

对于深圳争妍微电子而言，此次获奖是其质量品牌建设上的里程碑事件。在论坛的“2026年质量与可靠性提升清华案例发布及最佳论文颁奖”环节，争妍微电子代表从大会主席、清华大学质量与可靠性研究院院长李彦夫教授等专家手中接过荣誉证书。这不仅是一份荣誉，更是一份沉甸甸的责任。

争妍微电子相关负责人表示：“能够与清华大学的顶尖学者以及行业巨头同台交流并获此殊荣，我们深感荣幸。质量是企业的生命，可靠性是功率器件的灵魂。未来，我们将继续深化与清华大学等顶尖科研机构的产学研合作，依托复杂系统国家质量标准实验室等平台，持续攻关第三代半导体可靠性技术难题，将‘争妍’打造成为全球功率半导体领域值得信赖的质量标杆。”

最后一排左一是深圳争妍微电子总经理李学会

结语

从国际专利博览会的技术认可，到全国专利展览会的创新肯定，再到清华质量强国论坛的质量加冕，深圳争妍微电子正以坚实的步伐，在第三代半导体的赛道上奏响“技术先进、质量可靠”的奋进凯歌。此次荣获“2026年质量与可靠性提升清华案例奖”，必将激励争妍微电子在质量强国战略的指引下，持续以创新驱动质量升级，以可靠品质赋能千行百业，为中国半导体产业的高质量发展贡献更多“争妍”力量。