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深圳市杰盛微半导体有限公司

联系人：杨静璇

联系电话：13652334188

联系地址：深圳市福田区华强北街道深南中路2070号电子科技A座7楼

网址：http://www.jsmsemi.com

  • JSM5N60F 600V N 沟道功率 MOSFET

    JSM5N60F 600V N 沟道功率 MOSFET

    在电子设备小型化、高效化的浪潮下，功率 MOSFET 作为电源、工业控制、家电等领域的核心开关器件，其性能直接决定整机的效率、稳定性与使用寿命。深圳市杰盛微半导体有限公司（JSMSEMI）深耕国产功率半导体领域，凭借海归博士研发团队的技术积淀，持续推出高可靠、高性能的 MOSFET 产品。今天为大家带来的JSM5N60F，是杰盛微针对高频高压场景打造的 N 沟道功率 MOSFET，以 600V 耐压、低导通电阻、快开关速度等核心优势，成为高频开关电源、有源功率因数校正（PFC）电路的理想器件，助力国产电子设备实现高效能与高可靠性的双重突破。
    2026-06-02 阅读：925 关键词： 杰盛微半导体 JSM5N60F MOSFET 国产替代
  • JSM5N60C 600V N 沟道功率 MOSFET

    JSM5N60C 600V N 沟道功率 MOSFET

    在电子设备向小型化、高效化、高可靠性快速迭代的今天，功率 MOSFET 作为电源转换、电机驱动、能量调控的核心器件，其性能直接决定整机的效率、稳定性与使用寿命。尤其在高频开关电源、有源功率因数校正（PFC）等高压场景，对 MOSFET 的耐压、导通损耗、开关速度及散热能力提出了严苛要求。
    2026-05-30 阅读：1152 关键词： 杰盛微 JSM5N60C 功率MOSFET 国产替代
  • 行业动态｜英飞凌官宣 7 月涨价，国产芯片迎来新机遇

    行业动态｜英飞凌官宣 7 月涨价，国产芯片迎来新机遇

    2026 年 5 月 26 日，英飞凌正式向客户发出调价通知，宣布将于2026 年 7 月 1 日起对旗下部分产品实施价格调整，这也是其今年内第二次调价动作。
    2026-05-29 阅读：1173 关键词： 半导体调价 国产功率半导体 杰盛微 产品优势 英飞凌
  • JSM4N60F 600V N 沟道 MOSFET

    JSM4N60F 600V N 沟道 MOSFET

    在电子设备向小型化、高频化、高能效快速迭代的今天，功率 MOSFET 作为电源管理、电能转换的核心器件，其性能直接决定设备的运行效率、稳定性与使用寿命。尤其在高频开关电源、有源功率因数校正（PFC）等中高压场景，普通 MOSFET 常面临耐压不足、损耗过高、开关速度慢、抗干扰能力弱等痛点，成为工程师设计落地的关键阻碍。
    2026-05-28 阅读：1053 关键词： 杰盛微 JSM4N60F MOSFET 功率器件
  • JSM4N60C 600V N沟道功率MOSFET

    JSM4N60C 600V N沟道功率MOSFET

    在电子产业高速升级的当下，高频化、小型化、节能化成为各类功率设备的核心发展趋势。功率MOSFET作为电能转换、电源管理系统的核心核心元器件，其性能优劣直接决定了设备的运行效率、散热表现、使用寿命与整机安全性。
    2026-05-27 阅读：1211 关键词： 杰盛微 JSM4N60C MOSFET 进口替代
  • JSM2N60F 600V N 沟道功率 MOSFET

    JSM2N60F 600V N 沟道功率 MOSFET

    在电子技术飞速迭代的今天，高频开关电源、有源功率因数校正（APFC）等场景，对核心功率器件的低损耗、高稳定性、快开关速度要求愈发严苛。作为国产半导体领域深耕功率器件研发的优质企业，杰盛微（JSMSEMI）紧扣市场需求，推出JSM2N60F 600V N 沟道功率 MOSFET，以卓越性能、可靠品质，为工业电源、消费电子等领域提供高性价比的国产替代解决方案，助力电子设备实现高效能、低能耗、长寿命的升级目标。
    2026-05-26 阅读：1337 关键词： 杰盛微半导体 JSM2N60F 高压MOSFET 国产替代
  • JSM20N50P 500V N 沟道功率 MOSFET

    JSM20N50P 500V N 沟道功率 MOSFET

    在电力电子技术飞速发展的今天，开关电源、UPS、光伏储能等领域对功率器件的高压耐受、大电流承载、低损耗、高可靠性要求日益严苛。作为国内专注功率半导体研发的高新技术企业，深圳市杰盛微半导体有限公司（JSMSEMI）深耕功率 MOSFET 领域多年，凭借自研工艺与全链条质控体系，推出JSM20N50P 500V N 沟道功率 MOSFET，以卓越性能与稳定品质，为中高压功率转换场景提供优选国产方案，助力行业实现高效化、国产化升级。
    2026-05-26 阅读：1589 关键词： 杰盛微 JSM20N50P 功率半导体 国产替代
  • JSM20N50F N 沟道功率 MOSFET

    JSM20N50F N 沟道功率 MOSFET

    在工业电源、新能源设备、快充适配器等领域，功率 MOSFET 作为能量转换与开关控制的核心器件，其耐压等级、导通损耗、开关速度、散热能力直接决定整机效率、稳定性与使用寿命。随着国产半导体技术持续突破，本土品牌在高压功率器件领域不断实现性能越级，为工程师提供高性价比、高可靠性的国产化替代方案。
    2026-05-23 阅读：1132 关键词： JSM20N50F 杰盛微半导体 功率MOSFET 高压高频 国产替代
  • JSM20N50C 500V N 沟道 MOSFET

    JSM20N50C 500V N 沟道 MOSFET

    在电源设计、工业驱动与新能源应用领域，高压 MOSFET 作为核心功率器件，其性能直接决定设备的效率、稳定性与使用寿命。随着国产半导体技术的快速崛起，以杰盛微（JSMSEMI） 为代表的本土原厂，持续推出兼具高性能与高可靠性的功率器件，打破国外品牌长期垄断格局，为客户提供高性价比的国产化替代方案。
    2026-05-22 阅读：886 关键词： JSM20N50C MOSFET 高压功率电路 国产替代 杰盛微半导体
  • JSM18N50F N 沟道增强型功率 MOSFET

    JSM18N50F N 沟道增强型功率 MOSFET

    在工业电源、新能源设备、电机控制等领域，功率 MOSFET 作为核心开关器件，其性能直接决定设备的转换效率、稳定性与使用寿命。随着国产半导体技术的快速崛起，本土品牌在高压功率器件领域不断突破，为客户提供高性价比、高可靠性的国产化选择。今天为大家带来杰盛微半导体（JSMSEMI）重磅打造的JSM18N50F N 沟道增强型功率 MOSFET，以 500V 高耐压、18A 大电流、低导通电阻的核心优势，成为高压功率场景的理想之选。
    2026-05-19 阅读：1249 关键词： 杰盛微 JSM18N50F 功率半导体 国产替代
  • JSM18N50C 500V N 沟道 MOSFET

    JSM18N50C 500V N 沟道 MOSFET

    在高频开关电源、有源功率因数校正等电力电子应用场景中，功率 MOSFET 的性能直接决定设备的转换效率、稳定性与使用寿命。随着国产半导体技术的快速崛起，杰盛微半导体（JSMSEMI）深耕功率器件领域，推出多款高性能、高可靠的功率 MOSFET，为行业提供优质国产替代方案。今天为大家详细介绍杰盛微重磅打造的JSM18N50C 500V N 沟道 MOSFET，这款器件凭借优异的核心参数、卓越的高频性能与稳定的品质，成为中高压高频应用场景的理想选择。
    2026-05-18 阅读：1147 关键词： 杰盛微 JSM18N50C 功率MOSFET 国产替代 高频开关电源
  • JSM13N50F 500V N 沟道功率 MOSFET

    JSM13N50F 500V N 沟道功率 MOSFET

    在电子设备向小型化、高频化、高效化快速迭代的今天，功率 MOSFET 作为电源转换、能量控制的核心器件，其性能直接决定系统效率、稳定性与散热表现。尤其在高频开关电源、有源功率因数校正（PFC）等场景，低损耗、快开关、高可靠的 MOSFET 成为工程师选型的核心诉求。
    2026-05-16 阅读：1130 关键词： 杰盛微半导体 JSM13N50F 功率半导体 国产替代
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