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规避美国128层以上NAND禁令 长江存储秘密武器另闢蹊径
三星成功生产第九代V-NAND闪存芯片,预计明年量产
东京电子 3D NAND 蚀刻新技术或挑战泛林市场领导地位
集邦咨询:第四季度 NAND Flash 芯片合约价季涨幅预估 8-13%
韩媒:获得美国豁免后,三星将升级中国的NAND芯片工厂
三星预测:明年中国市场DRAM/NAND芯片供应将出现短缺
韩国NAND闪存芯片出口额恢复增长
三星下调P3厂投资,NAND、DRAM扩产规模或大幅缩减
NAND 产品涨超 10% 三星再度调涨存储芯片报价 最快本月生效
Nand厂商持续减产,导致材料供应商停工
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