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电子元器件
M474A1K43DB1-CVF带错误检查和纠正的无缓冲双列直插式存储模块8GB 1R x 8 2933 Mbps 1.2 V 260FBGA
价格:电微咨询13928429281
M474A1K43DB1-CTD带错误检查和纠正的无缓冲双列直插式存储模块8GB 1R x8 2666 Mbps 1.2 V 260FBGA
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M474A1G43EB1-CRC带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块8GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 260FBGA
价格:电微咨询13928429281
M474A1G43EB1-CPB带错误检查和纠正的无缓冲双列直插式存储模块8GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 260FBGA
价格:电微咨询13928429281
M393A4K40DB3-CWE带存储器的双列直插式存储模块32GB 2R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA
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M393A2K43DB3-CWE带存储器的双列直插式存储模块16GB 2R x8 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA
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M393A2K40DB3-CWE带存储器的双列直插式存储模块16GB 1R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA
价格:电微咨询13928429281
M393A1K43DB2-CWE带存储器的双列直插式存储模块8GB 1R x 8 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA
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M386ABG40M51-CAE低负载双列直插式存储模块256GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA
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M386AAG40AM3-CWE低负载双列直插式存储模块128GB 4R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288FBGA
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M393ABG40M52-CAE带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 通过添加 8 位奇偶校验信号,实现错误纠正
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M393AAG40M32-CAE带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 通过添加 8 位奇偶校验信号,实现错误纠正 支持 x4/x8 组织/每个 DIMM 和 3DPC 配置最高 2 个级别
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M471A5244CB0-CWE无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 支持 x8/x16/每个 DIMM 和 2DPC 配置最高 2 个级别 适用于存在空间受限问题的系统
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M471A4G43AB1-CWE无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 适用于存在空间受限问题的系统
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M471A2K43EB1-CTD无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 支持 x8/x16/每个 DIMM 和 2DPC 配置最高 2 个级别 适用于存在空间受限问题的系统
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M471A2K43DB1-CWE无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小 支持 x8/x16/每个 DIMM 和 2DPC 配置最高 2 个级别 适用于存在空间受限问题的系统
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M471A1K43EB1-CTD无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小8GB 1R x 8 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 260FBGA
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M471A1K43DB1-CWE无缓冲小型双列直插式存储模块 比普通 DIMM 小8GB 1R x 8 LPDDR4 3200Mbps 1.2 V 260FBGA
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M378A2K43DB1-CVF无缓冲双列直插式存储模块 无缓冲区和寄存器:延迟值更小16GB 2R x 8 LPDDR4 2933Mbps 1.2 V 288FBGA
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M378A5244CB0-CVF无缓冲双列直插式存储模块 无缓冲区和寄存器:延迟值更小4GB 1R x 16 LPDDR4 2933Mbps 1.2 V 288FBGA
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M378A4G43AB1-CWE无缓冲双列直插式存储模块 无缓冲区和寄存器:延迟值更小32GB 2R x 8 LPDDR4 3200Mbps 1.2 V 288FBGA
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M378A4G43AB1-CVF无缓冲双列直插式存储模块 无缓冲区和寄存器:延迟值更小32GB 2R x 8 LPDDR4 2988Mbps 1.2 V 288FBGA
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M378A2G43AB3-CWE无缓冲双列直插式存储模块 寄存器:延迟值更小16GB 1R x 8 LPDDR4 3200Mbps 1.2 V 288FBGA
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M378A1G44AB0-CWE无缓冲双列直插式存储模块 延迟值更小 8GB 1R x 16 LPDDR4 3200Mbps 1.2 V 288FBGA
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