版图设计是一门技术，也是一门艺术
版图设计是将电路的逻辑功能通过物理层次实现出来的过程。它类似于建筑图纸的设计工作，需要通过EDA工具（电子设计自动化工具）定义各工艺层的形状、尺寸以及位置。不同层次的工艺图形（如多晶硅层、金属层）相互叠加，通过排列和布线形成一个完整的集成电路结构。版图设计的核心工作内容主要包括布局、布线和尺寸确定。
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JSM12N60F 600V N沟道功率MOSFET
在中高压高频应用场景中，很多工程师常常面临器件开关损耗大、高温性能衰减严重、抗干扰能力弱、量产兼容性差等痛点。针对行业痛点，杰盛微深耕功率半导体领域，自主研发推出JSM12N60F 600V N沟道功率MOSFET。该器件经过芯片工艺优化与严苛品质测试，兼顾低损耗、高耐压、高频特性与强抗冲击能力，适配绝大多数中功率高压高频电路，是工业电源、新能源设备国产化替代的优质选型方案。 -
TVS 和肖特基二极管怎么用？常见场景 + MDD 辰达半导体选型指南
很多人画板子的时候，知道要加肖特基和 TVS，但不知道具体加在什么位置、选什么型号。今天就结合最常见的电路，讲清楚它俩该怎么放、怎么选，再给你推荐 MDD 辰达半导体的实测好用型号，直接套用就行。 -
36V低电容保护：基于NNCD36DA(0)-T1-AT的信号完整性解决方案
在高速数据接口设计中，静电放电（ESD）防护往往是一把双刃剑。传统的防护器件虽然能泄放高压，但其较大的寄生电容往往会“拖累”信号质量，导致眼图闭合或误码率上升。如何在不牺牲传输速率的前提下，为敏感的半导体元件提供Class 4级别的强力保护？华轩阳电子推出的NNCD36DA(0)-T1-AT，以其30pF的典型电容值和63V的钳位电压，为这一难题提供了一个平衡点。 -
高速数据线防静电难题？SZESD5B5.0ST1G如何实现5V线路的低电容保护
在高密度、高速率的现代电子设计中，静电放电（ESD）防护往往是工程师最头疼的环节之一。特别是当设计涉及到USB接口、HDMI端口或各类高频信号线时，如何在不牺牲信号完整性（即不增加过多寄生电容）的前提下，提供足够的抗静电能力，是一个典型的工程博弈。今天我们要解读的这款来自华轩阳电子的SZESD5B5.0ST1G，正是为解决这一痛点而生的单向/双向ESD保护二极管。 -
如何在1mm x 0.6mm的极限尺寸下实现20kV ESD防护？解析华轩阳 HXY D12V0X1B2LP-7B
在高密度PCB设计中，工程师常面临一个两难的抉择：为了追求极致的便携性，不得不选用超小型封装的接口芯片，但这往往意味着ESD保护器件的布局空间被极度压缩，甚至无法安装传统的保护二极管。当接口暴露在恶劣的静电环境中，昂贵的主控芯片可能瞬间报废。 -
65W氮化镓快充头BOM清单：整流到输出，这一份够用了
65W快充头听起来功率不大，但BOM成本压起来真要命。这两年PD快充市场价格卷成什么样。65W算是最主流的档位，手机、笔记本、平板都能用，出货量最大，但架不住客户死命压价。 成本怎么省？器件选型是关键。今天不聊芯片方案，就说说分立器件这一块。从交流输入到直流输出，每个模块都给你对应料号。拿着这份清单去找采购，BOM成本能降多少不好说，但至少心里有底。 -
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